[发明专利]用于处理基板的系统及方法有效
| 申请号: | 201010106018.1 | 申请日: | 2010-01-29 |
| 公开(公告)号: | CN101794710A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
| 发明(设计)人: | 金东浩;崔晋荣;高在昇;黄修敏 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 韩国忠淸南道天*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 处理 系统 方法 | ||
1.一种用于处理基板的系统,包括:
涂覆单元,用于执行基板涂覆工艺;
与曝光单元相连接的预曝光/后曝光处理单元,用于对在曝光单元中处理过 的基板以及对在涂覆单元中处理过的基板执行预曝光/后曝光处理工艺;
显影单元,用于对在预曝光/后曝光处理单元中处理过的基板执行显影工 艺,
其中,所述涂覆单元、预曝光/后曝光处理单元以及显影单元的每一个都包 括:
装载端,所述装载端上放置有接收基板的容器;移送模块,用于从容器中 取出或放入基板;以及处理模块,用于在基板上执行预定工艺,其中,所述装 载端、移送模块以及处理模块顺序排列;
所述预曝光/后曝光处理单元进一步包括与曝光单元连接的接口模块,其 中,所述接口模块位于所述处理模块的一侧,并且所述移送模块位于所述处理 模块的另一侧。
2.如权利要求1所述的系统,其中,所述预曝光/后曝光处理单元的处理模 块包括位于不同层内的第一模块和第二模块。
3.如权利要求2所述的系统,其中,所述第一模块包括:
保护层涂覆室,用于在基板上涂覆保护层;
烘干室,用于对所述基板进行热处理;以及
第一机械手,用于在所述保护层涂覆室和所述烘干室之间传送基板。
4.如权利要求3所述的系统,其中,所述第二模块进一步包括用于清洗基 板的清洗室。
5.如权利要求4所述的系统,其中,所述第二模块包括:
后曝光烘干室,用于对曝光的基板执行后曝光烘干工艺;以及
第二机械手,用于在清洗室和后曝光烘干室之间传送基板。
6.如权利要求2所述的系统,其中,所述预曝光/后曝光处理单元进一步包 括位于移送模块和处理模块之间的缓冲模块,所述缓冲模块包括:
第一缓冲器,与所述第一模块的高度相一致,用于临时存放基板;
第二缓冲器,与所述第二模块的高度相一致,用于临时存放基板。
7.如权利要求6所述的系统,其中,所述第一缓冲器和第二缓冲器相互堆 积,并且每个第一缓冲器和第二缓冲器包括多个支架。
8.如权利要求7所述的系统,其中,所述预曝光/后曝光处理单元的缓冲模 块进一步包括缓冲器机械手,用于在第一缓冲器和第二缓冲器之间传送基板。
9.如权利要求8所述的系统,其中,所述第一缓冲器和第二缓冲器在垂直 方向并排放置。
10.如权利要求6所述的系统,其中,所述缓冲模块位于与第一模块相一致 的高度,并且进一步包括用于冷却基板的冷却室。
11.如权利要求2所述的系统,其中,所述接口模块包括:
第一缓冲器,与所述第一模块的高度相一致,用于临时存放基板;
第二缓冲器,与所述第二模块的高度相一致,用于临时存放基板;以及
接口机械手,用于在所述曝光单元和所述第二缓冲器之间以及在所述第二 缓冲器和所述曝光单元之间传送基板。
12.如权利要求1至11任一项所述的系统,其中,所述涂覆单元进一步包括 边缘曝光模块,其中,所述边缘曝光模块位于所述处理模块的一侧,并且所述 移送模块位于所述处理模块的另一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





