[发明专利]小型宽带基片集成波导平面魔T结构

权利要求书

1.一种小型宽带基片集成波导平面魔T结构，其特征在于：包括上、下层介质基板、上层金属面[1]、中间层金属面[2]、底层金属面[3]、两排平行的金属柱[5]及槽线结构[14]，上层金属面[1]位于上层介质基板的上表面，中间层金属面[2]位于上、下层介质基板的中间位置，底层金属面[3]位于下层介质基板的下表面，两排平行的金属柱[5]之间的距离对应为基片集成波导结构截止频率的二分之一波长，中间层金属面[2]上基片集成波导结构的一侧蚀刻出槽线结构[14]，该槽线结构[14]包括槽线和扇形短路线[4]，槽线在基片集成波导结构外侧的末端与扇形短路线[4]相连接；上层介质基板上的50欧姆微带线[9]与槽线结构[14]上下垂直相交，50欧姆微带线[9]与槽线结构[14]垂直交叉相耦合。

2.根据权利要求1所述的小型宽带基片集成波导平面魔T结构，其特征在于：两排平行金属柱[5]之间间距为7～15mm，金属柱[5]中每个金属柱的半径为0.2～0.5mm，每两个金属柱之间的距离为0.2～0.6mm，每个金属柱的高度与介质基板的高度相同，其高度为0.4～2mm。

3.根据权利要求1所述的小型宽带基片集成波导平面魔T结构，其特征在于：上层金属面[1]上设置有左端50欧姆微带线[6]和右端50欧姆微带线[7]，上层金属面[1]中设置有基片集成波导结构到左端50欧姆微带线[6]的左端锥形过渡[12]，以及基片集成波导结构到右端50欧姆微带线[7]的右端锥形过渡[13]，左端锥形过渡[12]的长度为3～8mm，该锥形过渡[12]底端与基片集成波导结构相连处的宽度为2～6mm，右端锥形过渡[13]的长度为3～8mm，该锥形过渡[13]底端与基片集成波导结构相连处的宽度为1～5mm；右端50欧姆微带线[7]切角[11]的斜边长度为0.8～2.8mm；50欧姆微带线[9]终端两段等长的阶跃阻抗线[10]的总长度为1.5～3.2mm，该50欧姆微带线[9]采用的切角的尺寸和右端50欧姆微带线[7]的尺寸相同。

4.根据权利要求1中所述的小型宽带基片集成波导平面魔T结构，其特征在于：中间层金属面[2]的宽度与介质基板的宽度相同，宽度为29～43mm，该中间层金属面[2]的长度为25～43mm；槽线结构[14]的宽度为0.15～0.5mm，该槽线结构[14]伸进基片集成波导内部的长度为1.5～6mm，为该平面魔T结构工作频段中心频率的四分之一波长，该槽线结构[14]与基片集成波导结构相交处的金属柱之间的边距S为7～13mm，所述扇形短路线[4]的半径为1.5～5.5mm，该扇形短路线[4]的角度为40°～170°。

5.根据权利要求1中所述的小型宽带基片集成波导平面魔T结构，其特征在于：底层金属面[3]左端部分宽度与介质基板的宽度相同，均为29～43mm，该左端部分的长度为17～31mm；底层金属面[3]右端设置有锥形过渡，该锥形过渡与上层金属面[1]的右端锥形过渡[13]的长度和宽度都相同；该底层金属面[3]右端的50欧姆微带线[8]与上层金属面[1]右端50欧姆微带线[7]采用的结构尺寸都相同。

6.根据权利要求1所述的小型宽带基片集成波导平面魔T结构，其特征在于：介质基板的介电常数ε_r为2～16，每层介质基板的高度为0.4～2mm。