[发明专利]PVDF有机聚合物薄膜电容器的光刻制备方法

权利要求书

1.一种PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法，其特征在于，器件制备包括以下步骤：

(1)在衬底上利用热蒸发设备低温沉积金属底电极；

(2)在底电极上溅射生长二氧化硅或氮化硅介电绝缘层；

(3)光刻腐蚀二氧化硅或氮化硅介电绝缘层，形成PVDF有机聚合物薄膜的功能区开孔；

(4)溶胶凝胶法或LB膜法制备PVDF有机聚合物薄膜；

(5)在PVDF有机聚合物薄膜上利用热蒸发设备低温沉积金属上电极；

(6)光刻腐蚀金属上电极；

(7)氧等离子体刻蚀去除非功能区PVDF有机聚合物薄膜及残余光刻胶；

(8)在金属上电极上热蒸发低温沉积包裹电极；

(9)光刻腐蚀去除多余包裹电极，完成PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的制备。

2.根据权利要求1所述的一种PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法，其特征在于，其中所述的衬底为蓝宝石、硅、氮化镓或ITO玻璃。

3.根据权利要求1所述的一种PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法，其特征在于，其中所述的金属底电极为热蒸发低温沉积的铝电极，电极为长方形结构，厚度不小于100nm。

4.根据权利要求1所述的一种PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法，其特征在于，其中所述的介电绝缘层为磁控溅射生长二氧化硅或氮化硅绝缘层，介电绝缘层边缘位于衬底上，介电绝缘层为孔型，介电绝缘层将部分金属底电极包裹起来，开孔略小于器件的功能区面积，厚度不小于300nm。

5.根据权利要求1所述的一种PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法，其特征在于，其中所述的介电绝缘层采用氢氟酸腐蚀开孔。

6.根据权利要求1所述的一种PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法，其特征在于，其中所述的有机聚合物薄膜为溶胶凝胶法或LB膜法制备的PVDF薄膜，厚度为30nm-300nm。

7.根据权利要求1所述的一种PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法，其特征在于，其中所述的金属上电极为热蒸发低温沉积的铝电极，该金属上电极面积与PVDF有机聚合物薄膜功能区面积相同。

8.根据权利要求1所述的一种PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法，其特征在于，其中所述的金属上电极多余区域采用磷酸腐蚀液腐蚀。

9.根据权利要求1所述的一种PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法，其特征在于，其中所述的非功能区PVDF有机聚合物薄膜及残余光刻胶采用氧等离子体刻蚀同时去除。

10.根据权利要求1所述的一种PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法，其特征在于，其中所述的包裹电极为热蒸发低温沉积的厚度不小于150nm的金电极，电极为长方形结构，与下电极交叉成十字，边缘落在介电绝缘层上，其面积大于金属上电极面积，将PVDF有机聚合物薄膜侧面及电容器上电极包裹起来。

11.根据权利要求1所述的一种PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法，其特征在于，其中所述的多余包裹电极采用腐蚀工艺去除，腐蚀液为质量比1∶4∶10的碘、碘化氨和水溶液。