[发明专利]多模冗余灭磁保护回路有效
| 申请号： | 201010101667.2 | 申请日： | 2010-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN101783497A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 李宇俊 | 申请（专利权）人： | 东方电气集团东方电机有限公司;东方电机控制设备有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/06 | 分类号： | H02H7/06 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 618000 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 冗余 保护 回路 | ||
1.多模冗余灭磁保护回路,包括可控硅跨接器及其控制触发器、磁场断路器FB、发电机磁场绕组L,其特征在于：所述可控硅跨接器是高阻断电压的大功率可控硅，第一可控硅跨接器V1、第二可控硅跨接器V2、第三可控硅跨接器V3并联后其负极端与发电机磁场绕组L的正极相连，正极端与耗能元件RL的一端相连，耗能元件RL的另一端与发电机磁场绕组L的负极相连，所述第一可控硅跨接器V1与第一控制触发器U1联接，第二可控硅跨接器V2与第二控制触发器U2联接，第三可控硅跨接器V3与第三控制触发器U3联接；所述第一控制触发器U1和第二控制触发器U2内部电路结构相同，外部分别独立供电，所述第三控制触发器U3为无源供电。
2.根据权利要求1所述多模冗余灭磁保护回路，其特征在于：所述可控硅跨接器的电流为3500A,正、反向阻断电压为5200V。
3.根据权利要求1所述多模冗余灭磁保护回路，其特征在于：所述耗能元件RL为SiC非线性电阻,一端与并联后的可控硅跨接器正极端连接，另一端与发电机磁场绕组的负极连接。
4.根据权利要求1所述多模冗余灭磁保护回路，其特征在于：所述耗能元件RL为线性电阻,一端与并联后的可控硅跨接器正极端连接，另一端与发电机磁场绕组的负极连接。
5.根据权利要求1所述多模冗余灭磁保护回路，其特征在于：所述耗能元件RL为ZnO非线性电阻,一端与并联后的可控硅跨接器正极端连接，另一端与发电机磁场绕组的负极连接。
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