[发明专利]化学机械研磨方法

权利要求书

1.一种化学机械研磨方法，该方法包括以下步骤：

提供多个具有相似或相同图形的硅片，所述硅片均具有硅衬底和位于该硅衬底之上的待研磨层，

使用化学机械研磨设备将所述待研磨层研磨至目标位置，再进行一定时间T_op的过研磨，其中，使用终点检测装置来监测所述研磨的终点及监测到该终点后发出开始所述过研磨的指示，并由所述终点检测装置测得硅片被正常研磨时抵达所述终点所经历的平均研磨时间T₁，

其中，该方法还包括：

当所述多个硅片中的一个硅片被研磨至经所述终点检测装置检测到的终点时所经历的实际研磨时间T小于T₁的70％-85％时，将该硅片的过研磨时间T_op延长至T_op+(T₁-T)。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述平均研磨时间T₁是通过采集至少三个硅片的正常研磨时间而获得的平均值。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述待研磨层与所述硅衬底之间设置有阻挡层。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述待研磨层是氧化硅层或金属层。

5.如权利要求4所述的方法，其中，所述待研磨层与硅衬底之间设置有阻挡层，而且所述金属层是钨金属层或铜金属层。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述终点检测装置是光学终点检测装置或电机电流终点检测装置。

7.一种铜化学机械研磨方法，该方法包括以下步骤：

提供多个具有相似或相同图形的硅片，所述硅片均具有硅衬底、位于该硅衬底之上的阻挡层和覆盖在该阻挡层上的铜金属层，

使用具有多个转盘的化学机械研磨设备对所述硅片依次进行以下各项研磨，

在第一转盘上除去所述铜金属层中大块的铜，

在第二转盘上将铜金属层研磨至所述阻挡层，并进行一定时间T_op的过研磨，

在第三转盘上除去所述阻挡层，从而获得铜互连金属化的硅片，

其中，在第二转盘的研磨步骤中，该方法还包括：

使用光学终点检测装置来监测此转盘上的研磨终点，并在监测到该终点后发出开始所述过研磨的指示，

由所述光学终点检测装置测得硅片被正常研磨时抵达所述研磨终点所经历的平均研磨时间T₂，而且

当此转盘上一个硅片被研磨至所述研磨终点时所经历的实际研磨时间T小于T₂的70％-85％时，由所述终点检测装置将该硅片的过研磨时间T_op延长至T_op+(T₂-T)。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述平均研磨时间T₂是通过采集至少三个硅片的正常研磨时间而获得的平均值。