[发明专利]基板输送装置及基板处理系统

说明书

技术领域

本发明涉及例如半导体晶圆等基板的输送装置及具有该基 板输送装置的基板处理系统。

背景技术

例如在半导体器件的制造工艺的光刻处理中，例如进行在 半导体晶圆等基板上涂敷抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂 敷处理、在抗蚀剂膜上曝光规定的图案的曝光处理、使曝光后 的抗蚀剂膜显影的显影处理等各种处理。

上述一连串的处理通常使用涂敷显影处理系统进行。涂敷 显影处理系统包括：用于例如以盒为单位输入输出基板的盒站； 配置有用于进行各种处理的多个处理装置的处理站；用于在相 邻的曝光装置和处理站之间进行基板交接的转接站等。另外， 在处理站内设有朝向各处理装置输送基板的基板输送装置。

在以往的基板输送装置中使用输送臂，该输送臂包括形成 为例如大致圆环状的主体部和突出到该主体部的内侧而用于保 持基板的下表面的保持部。输送臂能沿铅直方向及水平方向移 动，并且能旋转。采用该结构，基板输送装置能将基板输送到 各处理装置(专利文献1)。

专利文献1：日本特开平8-46010号公报

但是，例如，在专利文献1所公开那样的输送臂中，在输 送基板时，在输送臂与基板的接触面附着有微粒。并且，该微 粒导致由基板处理系统制造出的产品的成品率降低，特别是随 着线宽的微细化的发展，微粒成为不容忽视的问题。

发明内容

本发明是鉴于该点做成的，其目的在于在输送基板时抑制 在基板上附着有微粒，从而提高由基板处理系统制造出的产品 的成品率。

为了实现上述目的的本发明的基板输送装置的特征在于， 该基板输送装置包括：基板收容容器，其在内部收容基板，在 侧面形成有基板的输入输出口；气体喷射部，其用于朝向上述 基板收容容器内的基板的背面喷射规定气体；控制部，其用于 调整从上述气体喷射部供给的上述规定气体的供给量，从而将 上述基板收容容器内的基板控制在规定高度。

采用本发明，通过利用控制部控制从气体喷射部供给的气 体的流量，能够控制基板背面的该气体的流速。因此，能通过 增大气体的流速来使基板上升，通过减小气体的流速来使基板 下降，在基板收容容器内，能以使基板浮起的状态升降该基板， 且能以使基板浮起的状态输送基板。结果，能抑制以往输送基 板时所产生的微粒向基板背面附着。由此，能提高由基板处理 系统制造出的产品的成品率。

基板输送装置还具有用于测定上述基板收容容器内的基板 的高度的位置测定部，上述控制部可以根据由上述位置测定部 测定的基板的高度调整上述规定气体的供给量，以使该基板移 动到规定的高度。

上述气体喷射部也可以具有从上述基板收容容器的内侧面 朝向斜上方喷射规定气体的气体喷射口，上述气体喷射口也可 以在上述基板收容容器的内侧面的整周上设置多个。另外，上 述气体喷射口也可以在铅直方向上设有多个。

上述控制部也可以分别调整从上述各气体喷射口供给的上 述规定气体的供给量。

可以在上述多个气体喷射口连接有用于将上述规定气体供 给到该多个气体喷射口的气体供给管，上述气体供给管可以在 上述基板收容容器的内部沿铅直方向延伸。另外，可以在上述 多个气体喷射口连接有用于将上述规定气体供给到该多个气体 喷射口的气体供给管，上述气体供给管可以在上述基板收容容 器的外部沿铅直方向延伸。另外，可以在上述多个气体喷射口 连接有用于将上述规定气体供给到该多个气体喷射口的气体供 给管，上述气体供给管可以在上述基板收容容器的侧壁内部沿 铅直方向延伸。

上述输入输出口在上述基板收容容器的侧面沿铅直方向可 以形成有多个，可以在上述输入输出口设置用于开闭该输入输 出口的闸门。

基板输送装置可以具有使上述基板收容容器沿水平方向移 动的水平移动机构，上述水平移动机构的驱动源可以为线性电 动机。

本发明的另一方案是基板处理系统，其具有上述基板输送 装置和对基板实施规定处理的处理装置，其特征在于，上述处 理装置具有在该处理装置和上述基板收容容器之间进行基板交 接的基板输送机构。

另外，上述输入输出口可以形成在与上述处理装置相对应 的高度。