[发明专利]埋入式线路高对位层间导通结构的制作方法无效
| 申请号： | 201010000515.3 | 申请日： | 2010-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102123565A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 张谦为;林定皓;吕育德 | 申请（专利权）人： | 苏州统硕科技有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/42 | 分类号： | H05K3/42 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所 11264 | 代理人： | 刘俊 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 埋入 线路 对位 层间导通 结构 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种埋入式线路高对位层间导通结构的制作方法，其特征在于，步骤包括：
在一第一层板上形成一第一线路及至少一个靶点；
于一第二层板上形成一第二线路；
将该第二层板与该第一层板压合，该第二层板覆盖该第一线路及该至少一个靶点；
读取该至少一个靶点做对位；
藉一钻孔方法贯穿该第一线路的终止垫上的第二层板，用以形成一导通孔于该终止垫上；
覆盖一光阻层于部分该第二层板及部分该第二线路上；
于该导通孔内及未被该光阻层所覆盖的第二层板上电镀一导电层，用以让该第一线路及该第二线路相连接；以及
剥除该光阻层。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该钻孔方法为一镭射钻孔，是利用一光罩来定义光束大小及该导通孔的孔径。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，该镭射钻孔的方法为紫外线-钇铝石榴石镭射及紫外线-准分子镭射的其中之一。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该导通孔为盲孔或埋孔。
5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该光阻层为干膜光阻或湿膜光阻。
6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该导电层为一金属层。
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