[发明专利]选择性地抛光碳化硅膜的方法

权利要求书

1.用于从基材表面优先于二氧化硅选择性地移除碳化硅的化学机械抛光(CMP)方法，该方法包括以下步骤：

(a)使该基材的表面与抛光垫和含水CMP组合物接触；和

(b)使该基材与该抛光垫之间发生相对运动并同时保持该CMP组合物的一部分与在该垫和该基材之间的表面接触一段足以从该表面磨除存在于该基材中的碳化硅的至少一部分的时间；

其中该CMP组合物包含以在约0.1重量％至约5重量％范围内的浓度存在的粒状二氧化硅研磨剂和提供在约2至约7范围内的pH的酸性缓冲剂，该CMP组合物能够以比同时发生的存在于该基材表面上的二氧化硅的磨除高的移除速率磨除存在于该基材表面上的碳化硅。

2.权利要求1的方法，其中该酸性缓冲剂包括有机酸。

3.权利要求2的方法，其中该有机酸包括羧酸、膦酸、或它们的组合。

4.权利要求2的方法，其中该有机酸包括乙酸。

5.权利要求2的方法，其中该有机酸包括1-羟基亚乙基-1，1-二膦酸。

6.权利要求2的方法，其中该有机酸包括氨基酸。

7.权利要求1的方法，其中该CMP组合物包含少于约0.5重量％的有机材料。

8.权利要求1的方法，其中该酸性缓冲剂包括无机酸。

9.权利要求1的方法，其中该酸性缓冲剂包括磷酸。

10.权利要求1的方法，其中该二氧化硅以在约0.1重量％至约2重量％范围内的浓度存在。

11.权利要求1的方法，其中该二氧化硅选自胶态二氧化硅、热解二氧化硅、氧化铝掺杂的二氧化硅、和前述物质中的两种或更多种的组合。

12.权利要求1的方法，其中该二氧化硅包括具有在约40至约150纳米范围内的平均粒度的氧化铝掺杂的胶态二氧化硅。

13.权利要求1的方法，其中该二氧化硅具有在约20纳米至约150纳米范围内的平均粒度。

14.权利要求1的方法，其中该二氧化硅具有在约25纳米至约75纳米范围内的平均粒度。

15.权利要求1的方法，其中该二氧化硅具有在约80纳米至约140纳米范围内的平均粒度。

16.权利要求1的方法，其中该pH缓冲剂提供在约2至约5范围内的pH。

17.权利要求1的方法，其中该CMP组合物不含表面活性剂和氧化剂。

18.权利要求1的方法，其中该二氧化硅为比PETEOS二氧化硅更容易研磨的材料，且该组合物的pH在约3至约7的范围内。

19.权利要求18的方法，其中该组合物的pH高于3.5。

20.用于从基材表面优先于二氧化硅选择性地移除碳化硅的化学机械抛光(CMP)方法，该方法包括以下步骤：

(a)使该基材的表面与抛光垫和含水CMP组合物接触；和

(b)使该基材与该抛光垫之间发生相对运动并同时保持该CMP组合物的一部分与在该垫和该基材之间的表面接触一段足以从该表面磨除存在于该基材中的碳化硅的至少一部分的时间；

其中该CMP组合物包含约0.1重量％至约1重量％的具有在约40至约150纳米范围内的平均粒度的氧化铝掺杂的胶态二氧化硅和缓冲剂，该缓冲剂包括有机酸，该缓冲剂提供在约2至约5范围内的pH；该CMP组合物能够以比同时发生的存在于该基材表面上的二氧化硅的磨除高的移除速率磨除存在于该基材表面上的碳化硅。

21.权利要求20的方法，其中该有机酸包括羧酸、膦酸、或它们的组合。

22.权利要求20的方法，其中该有机酸包括羧酸。

23.权利要求22的方法，其中该羧酸包括氨基酸。

24.权利要求23的方法，其中该氨基酸包括甘氨酸。

25.权利要求20的方法，其中该有机酸包括膦酸。

26.权利要求20的方法，其中该CMP组合物包含少于约0.5重量％的有机材料。