[发明专利]Ⅲ族氮化物衬底、包含其的半导体设备及制造经表面处理的Ⅲ族氮化物衬底的方法有效
| 申请号： | 200980154114.9 | 申请日： | 2009-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102272362A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 石桥惠二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 苏卉;车文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 衬底 包含 半导体设备 制造 表面 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种III族氮化物衬底，其中，
具有表面层，
上述表面层含有3at.％～25at.％的碳，并且含有5×1010原子/cm2～200×1010原子/cm2的p型金属元素。
2.根据权利要求1所述的III族氮化物衬底，其中，
上述表面层还含有1×1010原子/cm2～100×1010原子/cm2的绝缘性金属元素。
3.一种半导体设备，包含：
权利要求1或2所述的III族氮化物衬底；及
形成在上述衬底的表面层上的至少一层以上外延生长层。
4.一种制造经表面处理的III族氮化物衬底的方法，其包括以下工序：
在腔室内，使用包含有含碳的第一气体与含氯的第二气体的混合气体，对上述衬底的表面进行干式蚀刻的工序，该工序是以上述腔室内的压力P(Pa)、上述混合气体的流量Q(sccm)及腔室容积V(l：升)满足0.05≤PV/Q≤3.0的方式进行；及
使用含有p型金属元素的氧化物且具有2(mPa·s)～30(mPa·s)的粘度的溶液，对上述衬底的表面进行抛光的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980154114.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
