[发明专利]用于加工用于制造太阳能电池的晶片的表面的方法及晶片

权利要求书

1. 一种用于处理用于制造太阳能电池的晶片的表面的方法，其中在该方法之前的步骤中，在该晶片上已将抗反射及钝化层施加于p掺杂层上了，其特征在于：在用于制造该太阳能电池的接触部的该晶片表面上的随后的金属化或金属沉积之前，在一加工步骤中处理该表面，用于钝化或去除该抗反射及钝化层中的干扰区域例如刮痕、缺陷部位、针孔及非均质区域中的该p掺杂层，以避免金属沉积于这些干扰上。

2. 如权利要求1的方法，其特征在于，在蚀刻步骤中使用蚀刻溶液来执行在该干扰区域中的该晶片表面的处理，其中该蚀刻步骤优选持续多秒至多分钟。

3. 如权利要求2的方法，其特征在于，该蚀刻溶液是H₂SO₄或H₂O₂。

4. 如权利要求2或3的方法，其特征在于，该蚀刻溶液被选择为使得其仅以可忽略的程度侵蚀该太阳能电池的该抗反射及钝化层或优选不损害该抗反射及钝化层。

5. 如权利要求2至4之一的方法，其特征在于，该蚀刻溶液被选择为使得该p掺杂层选择性地被蚀刻，以局部去除位于该干扰区域中的该p掺杂层。

6. 如权利要求1的方法，其特征在于，为处理该干扰区域中的该晶片表面，使该晶片经受强氧化性气体介质，必要时经受溶解于水溶液中的氧化性气体。

7. 如权利要求6的方法，其特征在于，待处理的该晶片的表面的氧化持续时间持续几秒至多分钟。

8. 如权利要求6或7的方法，其特征在于，通过该强氧化性介质，氧化并钝化该干扰区域中的该晶片表面。

9. 如上述权利要求之一的方法，其特征在于，在用于去除或钝化该干扰区域中的该p掺杂层的步骤后，优选地利用介于其间的清洗步骤作为中间步骤来实现金属沉积。

10. 如上述权利要求之一的方法，其特征在于，该金属沉积是以电解方式实现，优选以Ag-LIP实现。

11. 一种用于制造太阳能电池的晶片，其特征在于，已利用如上述权利要求之一的方法处理了在p掺杂层上的、被施加至其表面的抗反射及钝化层。