[发明专利]通过施用多PEG化的粒细胞集落刺激因子(G-CSF)变体来治疗辐射诱发的嗜中性细胞减少症的方法无效
| 申请号: | 200980146030.0 | 申请日: | 2009-09-18 |
| 公开(公告)号: | CN102215876A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
| 发明(设计)人: | 格兰特.约尼希罗;托马斯.J.麦克维蒂 | 申请(专利权)人: | 马克西根公司 |
| 主分类号: | A61K47/48 | 分类号: | A61K47/48;A61K38/19;C07K14/535 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张红春 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 通过 施用 peg 粒细胞 集落刺激因子 csf 变体 治疗 辐射 诱发 中性 细胞 减少 方法 | ||
1.一种用于在经受辐射暴露的患者中治疗或预防嗜中性细胞减少症的方法,包括在该辐射暴露之后对该患者施用多PEG化的G-CSF变体,其中该多PEG化的G-CSF变体包含:
展现G-CSF活性的多肽,该多肽包含与SEQ ID NO:1所示氨基酸序列相差至多15个氨基酸残基的氨基酸序列,和
两个或更多个聚乙二醇(PEG)模块,每个PEG模块直接地或间接地共价附着至该多肽的氨基酸残基。
2.权利要求1的方法,其中所述多PEG化的G-CSF变体包含SEQ ID NO:1的氨基酸序列和至少一处选自下组的相对于SEQ ID NO:1的替代:T1K,P2K,L3K,G4K,P5K,A6K,S7K,S8K,L9K,P10K,Q11K,S12K,F13K,L14K,L15K,E19K,Q20K,V21K,Q25K,G26K,D27K,A29K,A30K,E33K,A37K,T38K,Y39K,L41K,H43K,P44K,E45K,E46K,V48K,L49K,L50K,H52K,S53K,L54K,I56K,P57K,P60K,L61K,S62K,S63K,P65K,S66K,Q67K,A68K,L69K,Q70K,L71K,A72K,G73K,S76K,Q77K,L78K,S80K,F83K,Q86K,G87K,Q90K,E93K,G94K,S96K,P97K,E98K,L99K,G100K,P101K,T102K,D104K,T105K,Q107K,L108K,D109K,A111K,D112K,F113K,T115K,T116K,W118K,Q119K,Q120K,M121K,E122K,E123K,L124K,M126K,A127K,P128K,A129K,L130K,Q131K,P132K,T133K,Q134K,G135K,A136K,M137K,P138K,A139K,A141K,S142K,A143K,F144K,Q145K,S155K,H156K,Q158K,S159K,L161K,E162K,V163K,S164K,Y165K,V167K,L168K,H170K,L171K,A172K,Q173K和P174K。
3.权利要求2的方法,其中所述多PEG化的G-CSF变体的氨基酸序列包含至少一处选自下组的替代:Q70K,Q90K,T105K Q120K,T133K,S159K和H170K。
4.权利要求2的方法,其中所述多PEG化的G-CSF变体的氨基酸序列进一步包含至少一处选自下组的替代:K16R/Q,K34R/Q和K40R/Q。
5.权利要求3的方法,其中所述多PEG化的G-CSF变体的氨基酸序列包含替代K16R,K34R,K40R,T105K和S159K。
6.权利要求5的方法,其中所述多PEG化的G-CSF变体的氨基酸序列由替代K16R,K34R,K40R,T105K和S159K以及任选和N端处的甲硫氨酸残基组成。
7.权利要求1的方法,其中所述多PEG化的G-CSF变体包含2-6个PEG模块,每个具有约1-10kDa的分子量。
8.权利要求7的方法,其中所述多PEG化的G-CSF变体包含附着至N端的PEG模块和附着至赖氨酸残基的PEG模块。
9.权利要求7的方法,其中所述多PEG化的G-CSF包含2-4个PEG模块,每个具有约4-6kDa的分子量。
10.权利要求1的方法,其中所述多PEG化的G-CSF变体的氨基酸序列包含一处或多处选自K16R/Q,K34R/Q和K40R/Q的替代和一处或多处选自Q70K,Q90K,T105K,Q120K,T133K和S159K的替代,且包含2-6个附着的PEG模块,每个具有约1-10kDa的分子量。
11.权利要求10的方法,其中所述多PEG化的G-CSF变体的氨基酸序列包含一处或多处选自K16R/Q,K34R/Q和K40R/Q的替代和至少一处选自T105K和S159K的替代,且包含2-4个附着的PEG模块,每个具有约1-10kDa的分子量。
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