[发明专利]发射辐射的有机器件和用于制造发射辐射的有机器件的方法有效
| 申请号: | 200980143755.4 | 申请日: | 2009-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN102203976A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
| 发明(设计)人: | 京特·施米德;拉尔夫·克劳泽;斯特凡·塞德尔;奥利佛·魏斯;克里斯托夫·盖尔迪茨;鲁卡·苏霍宁;乌尔里希·尼德迈尔 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李德山;周涛 |
| 地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发射 辐射 有机 器件 用于 制造 方法 | ||
1.一种发射辐射的有机器件,
-包括第一电极(1),其具有用于电接触第一电极(1)的第一电接触区(10),
-在该第一电极(1)上包括第一有机功能层(31),
-在该第一有机功能层(31)上包括至少一个有机有源区(4),其适于在工作中辐射电磁辐射,以及
-在有源区(4)上包括第二电极(2),
其中
-第一有机功能层(31)包括多个横向设置的部分区域(30),所述部分区域分别具有带有第一导电性的第一材料(51)和带有第二导电性的第二材料(52),
-第二导电性大于第一导电性,以及
-第一有机功能层(31)的所述部分区域(30)中的第二材料(52)的份额与第一材料(51)的份额之比根据距第一电接触区(10)的横向距离而变化。
2.根据权利要求1所述的器件,其中,
-第二材料(52)的份额与第一材料(51)的份额之比随着距第一电接触区(10)的横向距离增加而变大。
3.根据上述权利要求之一所述的器件,其中,
-第一有机功能层(31)的所述部分区域(30)的每个部分区域在该部分区域内具有第二材料(52)在第一材料(51)中的均匀分布。
4.根据权利要求1至3之一所述的器件,其中,
-第一有机功能层(31)的所述部分区域(30)的每个部分区域具有带有第一材料和第二材料(51,52)的第一功能区(35)和带有第一材料(51)的第二功能区(36),
-与第一材料(51)相比,第二材料(52)的体积浓度在不同的部分区域(30)的第一功能区(35)中相同,以及
-部分区域(30)的第二功能区(36)不含第二材料(52)。
5.根据上述权利要求所述的器件,其中,
-第一功能区(35)具有第一体积,而第二功能区(36)具有第二体积,以及
-第一体积与第二体积之比随着距第一电接触区(10)的横向距离增加而变大。
6.根据上述权利要求之一所述的器件,其中,
-第一材料(51)具有有机导电基体材料,以及
-第二材料(52)作为第一材料(51)中的掺杂材料被引入。
7.根据上述权利要求之一所述的器件,其中,
-第一材料和第二材料(51,52)共同形成电荷转移复合物。
8.根据上述权利要求所述的器件,其中,
-电荷转移复合物对于在有源区(4)中产生的电磁辐射是至少部分透明的。
9.根据上述权利要求之一所述的器件,其中,
-在第一有机功能层(31)与有源区(4)之间设置有具有第一材料(51)的第二有机功能层(32),该第二有机功能层(32)不含第二材料(52)并且与有源区(4)直接邻接。
10.根据上述权利要求之一所述的器件,其中,
-第一有机功能层(31)构建为空穴传输层和/或电子传输层。
11.根据上述权利要求之一所述的器件,其中,
-第二电极(2)具有用于电接触第二电极(2)的第二电接触区(20),以及
-在有源区(4)与第二电极(2)之间设置有第三有机功能层(33),
其中,
-第三有机功能层(33)包括多个横向设置的部分区域(30),所述部分区域分别具有带有第三导电性的第三材料(53)和带有第四导电性的第四材料(54),
-第四导电性大于第三导电性,以及
-第三有机功能层(33)的所述部分区域(30)中的第四材料(54)的份额与第三材料(53)的份额之比根据距第一电接触区(10)的横向距离和/或根据距第二电接触区(20)的横向距离而变化。
12.一种用于制造根据权利要求1至11之一所述的发射辐射的有机器件的方法,其包括以下步骤:
A)提供具有第一电接触区(10)的第一电极(1),
B)施加包括多个横向设置的部分区域(30)的第一有机功能层(31),所述部分区域具有第一材料和第二材料(51,52),
C)在第一有机功能层(31)上施加有源区(4),以及
D)在有源区(31)上施加第二电极(2)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





