[发明专利]与具有较高传热系数的材料接触的具有至少一个热致形状可变的转换链段的制品

权利要求书

1.一种具有至少有一个转换链段的制品，其特征在于，该至少一个转换链段包括：

a)一种形状记忆化合物，其包括至少一热致形状可变的形状记忆聚合物和嵌入其中的颗粒，该颗粒适合于在交变电磁场中加热，其中形状记忆化合物具有传热系数h_schalt；

b)围绕该形状记忆化合物a)的隔离区，且该隔离区具有传热系数h_iso；

其中h_iso＜h_schalt。

2.根据权利要求1所述的制品，其特征在于，比率h_iso/h_schalt为≤0.9，较佳地为≤0.5，尤其较佳地为≤0.3，特别较佳地为≤0.1。

3.根据前述权利要求的其中一项所述的制品，其特征在于，隔离区内基本上没有适合于在交变电磁场中加热的颗粒。

4.根据前述权利要求的其中一项所述的制品，其特征在于，该隔离区包括一种材料或者由比热导率λ_iso小于形状记忆化合物的至少一个热致形状可变的形状记忆聚合物的比热导率λ_schalt的材料制成。

5.根据前述权利要求的其中一项所述的制品，其特征在于，该隔离区具有一种不同于形状记忆化合物结构的结构。

6.根据前述权利要求的其中一项所述的制品，其特征在于，该隔离区具有一种泡沫结构，尤其是大部分是闭孔的泡沫结构。

7.根据权利要求4，5或6的其中一项所述的制品，其特征在于，该隔离层的材料组成包括气体，最好是对于该形状记忆化合物的至少一个热致形状可变的形状记忆聚合物来说是惰性的气体，尤其是二氧化碳或空气。

8.根据前述权利要求的其中一项所述的制品，其特征在于，该隔离区和形状记忆化合物的平均直径(D_iso+schalt)与形状记忆化合物(D_schalt)的平均直径之比率(D_iso+schalt/D_schalt)在至少一个热致形状可变的形状记忆聚合物的截面上可以选择，以至于形状记忆化合物的至少有一个热致形状可变的形状记忆聚合物的转换温度可以通过激励交变电磁场在形状记忆化合物里达到，其中，至少有一个转换链段是处在一种环境中，这种环境具有的传热系数大于该转换链段的形状记忆化合物的传热系数。

9.根据权利要求8所述的制品，其特征在于，该直径比D_iso+schalt/D_schalt可以选择，以至于至少一个转换链段在水溶液环境中和/或在具有245至265千赫的频率和磁场强度为10至16kA/m的交变电磁场中达到转换温度。

10.根据前述权利要求的其中一项所述的制品，其特征在于，在该至少一个转换链段的横截面上，该隔离区和形状记忆化合物的平均直径与该形状记忆化合物的平均直径之比D_iso+schalt/D_schalt为≥1.01，较佳地为≥1.05，特别好地为≥1.1。

11.根据前述权利要求的其中一项所述的制品，其特征在于，该隔离区包括多个气孔，这些气孔在隔离区的横截面沿孔径尺寸梯度分布，其中，该隔离区外部区域的气孔的平均尺寸小于该隔离区内部区域的气孔的平均尺寸。

12.一种制备如权利要求1至11的其中一项所述的具有至少一个转换链段的制品的方法，其包括如下步骤：

a)制备至少一种转换链段的形状记忆化合物，其包括至少一种热致形状可变的形状记忆聚合物和溶入其中的颗粒，这些颗粒适用于在交变电磁场里被加热，其中形状记忆化合物具有传热系数h_schalt；及

b)将一个隔离区沉积在该至少一个转换链段的形状记忆化合物上，该隔离区的传热系数h_iso＜h_schalt，从而使该隔离区包围该形状记忆化合物，以及

其中步骤b)与步骤a)同时进行或者在步骤a)之后进行。