[发明专利]静电卡盘的检查方法以及静电卡盘装置有效
| 申请号: | 200980141492.3 | 申请日: | 2009-10-19 |
| 公开(公告)号: | CN102187447A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
| 发明(设计)人: | 藤泽博 | 申请(专利权)人: | 创意科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;B23Q3/15;H02N13/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张丽 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 静电 卡盘 检查 方法 以及 装置 | ||
1.一种静电卡盘的检查方法,其特征在于,
在具备双极型静电卡盘、以及卡盘电源的静电卡盘装置中,其中所述双极型静电卡盘在电介质内具有沿着该电介质的表面配置的正吸附电极以及负吸附电极且通过静电来吸附被吸附物,所述卡盘电源以接地电位部为基准向所述静电卡盘的正吸附电极以及负吸附电极分别供给正的直流电压以及负的直流电压,
在所述静电卡盘的电介质内、所述正吸附电极以及负吸附电极的背面侧,以与这些吸附电极之间隔开规定的间隔而分别对置的方式设有正辅助电极以及负辅助电极,并且这些辅助电极与所述接地电位部连接,
在静电卡盘的检查方法中进行判定工序,分别测量在所述静电卡盘上没有载置被吸附物的状态下从所述卡盘电源向所述静电卡盘施加或者断开所述正以及负的直流电压时的(a)在所述静电卡盘的正吸附电极和所述卡盘电源之间流过的第1瞬态电流、(b)在所述静电卡盘的正辅助电极和所述接地电位部之间流过的第2瞬态电流、(c)在所述静电卡盘的负吸附电极和所述卡盘电源之间流过的第3瞬态电流以及(d)在所述静电卡盘的负辅助电极和所述接地电位部之间流过的第4瞬态电流中的至少三个瞬态电流,并且算出作为所述第1瞬态电流和第2瞬态电流之差或者所述第3瞬态电流和第4瞬态电流之差的第5瞬态电流,将所得到的各瞬态电流分别与从正常的静电卡盘所得到的各瞬态电流的基准值进行比较,判定所述静电卡盘内的各吸附电极的周边的静电电容的异常。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘的检查方法,其特征在于,
所述判定工序包括从所述卡盘电源向所述静电卡盘施加了所述正以及负的直流电压时的
(a)第1工序,测量所述第1以及第2瞬态电流中的至少一个瞬态电流,将该瞬态电流下降到其峰值的规定比例为止的时间,和与其对应的正常的静电卡盘的时间进行比较,判定所述静电卡盘的正吸附电极和正辅助电极之间的静电电容的异常;
(b)第2工序,测量所述第3以及第4瞬态电流中的至少一个瞬态电流,将该瞬态电流下降到其峰值的规定比例为止的时间,和与其对应的正常的静电卡盘的时间进行比较,判定所述静电卡盘的负吸附电极和负辅助电极之间的静电电容的异常;
(c)第3工序,将作为所述第1瞬态电流和第2瞬态电流之差或者第3瞬态电流和第4瞬态电流之差而求出的第5瞬态电流的峰值,和与其对应的正常的静电卡盘的峰值进行比较,判定所述静电卡盘的正吸附电极和负吸附电极之间的静电电容的异常。
3.根据权利要求1或2所述的静电卡盘的检查方法,其特征在于,
所述静电卡盘的正辅助电极呈与正吸附电极对应的形状,负辅助电极呈与负吸附电极对应的形状。
4.一种静电卡盘装置,其特征在于,
具备双极型静电卡盘、以及卡盘电源,其中所述双极型静电卡盘在电介质内具有沿着该电介质的表面配置的正吸附电极以及负吸附电极且通过静电来吸附被吸附物,所述卡盘电源以接地电位部为基准向所述静电卡盘的正吸附电极以及负吸附电极分别供给正的直流电压以及负的直流电压,该静电卡盘装置具备:
正辅助电极以及负辅助电极,在所述静电卡盘的电介质内、所述正吸附电极以及负吸附电极的背面侧,以与这些吸附电极之间隔开规定的间隔而分别对置的方式设置;
第1电流计,连接在所述静电卡盘的正吸附电极和所述卡盘电源之间,来测量在它们之间流过的第1瞬态电流;
第2电流计,连接在所述静电卡盘的正辅助电极和所述接地电位部之间来测量在它们之间流过的第2瞬态电流;
第3电流计,连接在所述静电卡盘的负吸附电极和所述卡盘电源之间来测量在它们之间流过的第3瞬态电流;
第4电流计,连接在所述静电卡盘的负辅助电极和所述接地电位部之间来测量在它们之间流过的第4瞬态电流;
运算单元,算出作为所述第1瞬态电流和第2瞬态电流之差或者所述第3瞬态电流和第4瞬态电流之差而求出的第5瞬态电流;以及
判定装置,具备如下功能,即在所述静电卡盘上没有载置被吸附物的状态下从所述卡盘电源向所述静电卡盘施加或者断开所述正以及负的直流电压时,测量由所述第1至第4电流计内的至少三个电流计所测量的所述第1至第4瞬态电流内的至少三个瞬态电流,并且算出由所述运算单元所算出的所述第5瞬态电流,将所得到的各瞬态电流分别与从正常的静电卡盘所得到的各瞬态电流的基准值进行比较,判定所述静电卡盘内的静电电容的异常。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





