[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，具有栅电极、栅极绝缘膜、与所述栅极绝缘膜相接的氧化物半导体膜、以及与所述氧化物半导体膜连接且由沟道部隔开的源电极及漏电极，

所述氧化物半导体膜包含含有氢元素的结晶质氧化铟，

相对于形成氧化物半导体膜的所有元素，所述氧化物半导体膜中所含的氢元素的含量为0.1at％～5at％。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述氧化物半导体膜还含有氧化铟以外的正3价的金属氧化物。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，

相对于所述氧化物半导体膜中所含的所有金属元素，所述铟以外的正3价的金属元素的含量为0.1～10at％。

4.根据权利要求2或3所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述氧化铟以外的正3价的金属氧化物是选自氧化硼、氧化铝、氧化镓、氧化钪、氧化钇、氧化镧、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化镱及氧化镥中的一种以上的氧化物。

5.一种制造权利要求1～4中任意一项所述的薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：

形成包含含有氢元素的氧化铟的半导体膜的成膜工序；

对所述半导体膜进行图案化的工序；

将所述半导体膜脱氢及结晶化的工序；和

与所述半导体膜连接地形成源电极及漏电极的工序。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，

所述半导体膜的成膜工序的成膜气氛中的氢分子和/或水分子的体积含量为1％～10％。

7.根据权利要求5或6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，

所述将半导体膜脱氢及结晶化的工序是将所述半导体膜在150～450℃热处理0.1～1200分钟的工序。

8.根据权利要求5～7中任意一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，

是沟道蚀刻型的薄膜晶体管的制造方法。

9.根据权利要求5～7中任意一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，

是蚀刻阻挡型的薄膜晶体管的制造方法。