[发明专利]压电振动装置的密封构件及其制造方法有效
| 申请号: | 200980139305.8 | 申请日: | 2009-08-04 |
| 公开(公告)号: | CN102171925A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
| 发明(设计)人: | 幸田直树;吉冈宏树;佐藤俊介 | 申请(专利权)人: | 株式会社大真空 |
| 主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H01L23/04;H03H3/02 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 压电 振动 装置 密封 构件 及其 制造 方法 | ||
1.一种压电振动装置的密封构件,该密封构件将形成有激励电极的压电振动片的所述激励电极气密性密封,所述密封构件的特征在于,
形成有用于使形成在该密封构件的基体的两主面上的电极图案处于导通状态的贯通孔,在所述贯通孔内填充有导通构件,
所述贯通孔在所述基体的内部的直径小于在所述基体的两主面上的所述贯通孔的两端部的直径,
所述导通构件的两端面相对于所述基体的两主面呈凹状。
2.根据权利要求1所述的压电振动装置的密封构件,其特征在于,
所述贯通孔的内侧面形成为锥形,
对于所述贯通孔,其厚度方向的中间点的直径小于在所述两主面上的其两端部的直径。
3.根据权利要求1或2所述的压电振动装置的密封构件,其特征在于,
所述导通构件至少是由Au和Sn构成的化合物,
Au偏集于所述贯通孔的在所述基体内部的直径小的区域。
4.一种压电振动装置的密封构件,该密封构件将形成有激励电极的压电振动片的所述激励电极气密性密封,所述密封构件的特征在于,
形成有用于使形成在该密封构件的基体的两主面上的电极图案处于导通状态的贯通孔,在所述贯通孔内填充有导通构件,
所述贯通孔在所述基体的两主面上的一端面的直径大于另一端面的直径,
所述导通构件的两端面相对于所述基体的两主面呈凹状。
5.根据权利要求4所述的压电振动装置的密封构件,其特征在于,
所述贯通孔的内侧面形成为锥形,并相对于所述基体的主面倾斜约45度~85度。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的压电振动装置的密封构件,其特征在于,
所述电极图案中包括防止金属扩散的扩散防止层。
7.一种压电振动装置的密封构件的制造方法,所述密封构件将形成有激励电极的压电振动片的所述激励电极气密性密封,所述制造方法的特征在于,包括:
形成用于使形成在该密封构件的基体的两主面上的电极图案处于导通状态的贯通孔的形成步骤;以及
用于在所述贯通孔内填充导通构件的填充步骤,
在所述形成步骤中,通过蚀刻法从所述基体的两主面蚀刻基体从而形成贯通孔,所述贯通孔在基体内部的直径小于所述贯通孔的两端部即所述贯通孔在所述两主面上的直径,所述导通构件的两端面相对于所述基体的两主面呈凹形。
8.根据权利要求7所述的压电振动装置的密封构件的制造方法,其特征在于,
在所述填充步骤中,在所述贯通孔内形成Au层,在该Au层上形成Sn层,并对形成在所述贯通孔中的这些Au层和Sn层以共晶点以上的温度加热熔融。
9.根据权利要求7所述的压电振动装置的密封构件的制造方法,其特征在于,
在所述填充步骤中,在所述贯通孔内形成Au-Sn合金镀层,并以共晶点以上的温度加热熔融该Au-Sn合金镀层。
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