[发明专利]用于对衬底进行化学处理的方法

权利要求书

1. 一种用于通过使起化学作用的液态加工介质（26）与衬底的至少下侧面的接触来对具有下侧面（12）、上侧面（22）和侧面（14，16，18，20）的优选为片状或板状的衬底（10）进行化学处理的方法，其中该衬底在形成衬底、衬底介质与包围衬底和衬底介质的气氛之间的三重线的同时相对于加工介质运动,

其特征在于，

在避免加工介质与衬底（10）的上侧面（22）接触的情况下执行相对运动；相对于衬底与加工介质（36）之间的相对运动以所期望的高度在背向加工介质流动侧的侧面（14，16，18，20）上形成三重线（42）；和/或在存在于加工介质中的成分的分压方面将所述气氛调节为使得上侧面（22）保留疏水性特性或者在上侧面中形成疏水性特性；以及衬底优选地在与加工介质相对运动期间被以这样的程度旋转，即使得三重线在化学处理期间从在上侧面与侧面之间延伸的每个棱边（38）或者在侧面的范围中出发。

2. 根据权利要求1所述的方法，

其特征在于，

在衬底的上侧面（22）与侧面（14，16，18，20）之间的背向加工介质流动侧的棱边（38）处形成三重线（42）。

3. 根据权利要求1所述的方法，

其特征在于，

衬底（10）在形成从衬底发出的由加工介质构成的尾波40的同时相对于加工介质（26）运动，该尾波从棱边（38）或者从由棱边（38）限制的侧面（14，16，18，20）发出。

4. 根据前述权利要求至少之一所述的方法，

其特征在于，

作为衬底（10）使用半导体衬底、尤其是硅半导体衬底。

5. 根据前述权利要求至少之一所述的方法，

其特征在于，

该化学处理以这样的程度进行，即使得衬底（10）在处理以后具有光滑的下侧面和侧面（12，14，16，18，20）。

6. 根据前述权利要求至少之一所述的方法，

其特征在于，

通过化学处理侵蚀1μm至100μm之间的层厚度。

7. 根据前述权利要求至少之一所述的方法，

其特征在于，

作为衬底（10）使用至少在下侧面（12）和/或至少在侧面（12，14，16，18，20）被掺杂的半导体衬底，例如具有pn结的硅衬底，并且掺杂的区域通过化学处理被除去。

8. 根据前述权利要求至少之一所述的方法，

其特征在于，

作为衬底（10）使用这样的衬底：所述衬底在俯视图中具有正方形、伪正方形、矩形或圆形的几何形状。

9. 根据前述权利要求至少之一所述的方法，

其特征在于，

作为衬底（10）使用这样的衬底：所述衬底具有厚底d，其中50μm≤d≤500μm、尤其是100μm≤d≤200μm。

10. 根据前述权利要求至少之一所述的方法，

其特征在于，

使用具有在俯视图中为角形几何形状的具有棱边（38）的衬底（10），所述棱边（38）的至少之一、优选每个棱边具有长度L，其中100mm≤L≤350mm、尤其是125mm≤L≤156mm。

11. 根据前述权利要求至少之一所述的方法，

其特征在于，

衬底（10）在侧面（14，16，18，20）至少局部浸润的情况下穿过加工介质（26）相对于该加工介质运动。

12. 根据前述权利要求至少之一所述的方法，

其特征在于，

作为加工介质（26）使用这样的加工介质：所述加工介质包含至少一种对衬底（10）具有氧化作用的含水酸以及至少一种对衬底材料的氧化物具有络合作用的含水酸作为成分。

13. 根据前述权利要求至少之一所述的方法，

其特征在于，

作为加工介质（26）使用这样的加工介质：所述加工介质包含由H₂O、HF、HNO₃、HCl、氧化剂组成的组中的成分，所述氧化剂例如H₂O₂、NO₂、氟化铵、醋酸、硫酸、磷酸。