[发明专利]具有结晶质氧化铟半导体膜的薄膜晶体管无效
| 申请号： | 200980136173.3 | 申请日： | 2009-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102160182A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 井上一吉;矢野公规;笘井重和;宇都野太;笠见雅司;后藤健治;川岛浩和 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 结晶 氧化 半导体 薄膜晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管，其具有以氧化铟作为主成分，且含有正3价的金属氧化物的结晶质氧化铟半导体膜。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，
所述正3价的金属氧化物为选自氧化硼、氧化铝、氧化镓、氧化钪、氧化钇、氧化镧、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱和氧化镥中的1种或2种以上的氧化物。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其中，
所述正3价的金属氧化物的金属元素M相对于所述氧化铟的铟元素In与所述金属元素M的合计量的比率M/(M+In)为0.0001～0.1，其中M/(M+In)以原子比计。
4.一种权利要求1～3中任一项所述的薄膜晶体管的制造方法，包括：
将含有氧化铟和正3价的金属氧化物的半导体膜进行成膜的成膜工序；
对所述半导体膜进行氧化处理的工序；和/或
将所述半导体膜结晶化的工序。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，
在氧的存在下，将所述半导体膜在150～450℃热处理0.5～1200分钟。
6.根据权利要求4或5所述的薄膜晶体管的制造方法，其是沟道蚀刻型薄膜晶体管的制造方法。
7.根据权利要求4或5所述的薄膜晶体管的制造方法，其是蚀刻阻挡型薄膜晶体管的制造方法。
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