[发明专利]双核钌络合物染料、钌-锇络合物染料、具有该络合物染料的光电变换元件及光化学电池无效
| 申请号: | 200980131542.X | 申请日: | 2009-06-19 |
| 公开(公告)号: | CN102124060A | 公开(公告)日: | 2011-07-13 |
| 发明(设计)人: | 垣田一成;和田秀作;岩佐贵文;角田刚久 | 申请(专利权)人: | 宇部兴产株式会社 |
| 主分类号: | C09B57/10 | 分类号: | C09B57/10;H01L31/04;H01M14/00 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明;王申 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 双核钌 络合物 染料 具有 光电 变换 元件 光化学 电池 | ||
1.一种由以下通式(1-1)表示的双核钌络合物染料,
其中,R01代表具有2~18个碳原子的直链或支链烷基,X代表抗衡离子,n代表中和所述络合物的电荷所需的抗衡离子个数,其中一个或多个羧基(-COOH)的质子(H+)可以解离。
2.一种由以下通式(2-1)表示的双核钌络合物染料,
其中,R02代表具有2~18碳原子的直链或支链烷基,或在吡啶环上的两个R02与其所连接的碳原子一起形成芳烃环或脂肪族烃环,X代表抗衡离子,n代表中和所述络合物的电荷所需的抗衡离子个数,其中一个或多个羧基(-COOH)的质子(H+)可以解离。
3.一种由以下通式(3-1)表示的双核钌络合物染料,
其中,R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地代表氢原子或疏水取代基,X代表抗衡离子,n代表中和所述络合物的电荷所需的抗衡离子个数。限制性条件是排除所述双核钌络合物染料中的R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8全部都是氢原子,其中一个或多个羧基(-COOH)的质子(H+)可以解离。
4.根据权利要求3所述的双核钌络合物染料,其中所述疏水取代基是烷基、芳烷基或芳基。
5.一种由以下通式(4-1)表示的钌-锇络合物染料,
其中,R04代表具有1~18个碳原子的直链或支链烷基、具有1~18个碳原子的直链或支链烷氧基、具有6~15个碳原子的芳烷基、具有6~15个碳原子的芳基、具有6~15个碳原子的芳烷氧基或具有6~15个碳原子的芳氧基,X代表抗衡离子,n代表中和所述络合物的电荷所需的抗衡离子个数,其中一个或多个羧基(-COOH)的质子(H+)可以解离。
6.一种光电变换元件,包括权利要求1~4中任一所述的双核钌络合物染料或权利要求5所述的钌-锇络合物染料,以及半导体颗粒。
7.根据权利要求6所述的光电变换元件,其中所述半导体颗粒选自二氧化钛、氧化锌和氧化锡中的至少一种。
8.一种光化学电池,包括权利要求6或7所述的光电变换元件。
9.一种光化学电池,包括作为电极的权利要求6或7所述的光电变换元件,对电极,和在所述电极之间的电解质层。
10.一种光电变换元件的制造方法,包括:
将半导体颗粒浸入含有权利要求1~4中任一所述的双核钌络合物染料或权利要求5所述的钌-锇络合物染料的溶液。
11.一种光电变换元件的制造方法,包括:
在导电支撑物上形成包括半导体颗粒的半导体层;以及
将所述半导体层浸入含有权利要求1~4中任一所述的双核钌络合物染料或权利要求5所述的钌-锇络合物染料的溶液。
12.一种由以下通式(1-2)表示的单核钌络合物前体,
其中,R01、X和n如上述所定义。
13.一种由以下通式(1-3)表示的单核钌络合物前体:
其中,R01、X和n如上述所定义。
14.一种由以下通式(2-2)表示的单核钌络合物前体:
其中,R02、X和n如上述所定义。
15.一种由以下通式(2-3)表示的单核钌络合物:
其中,R02如上述所定义。
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