[发明专利]具有嵌入式图案化电容的基板无效
| 申请号: | 200980129368.5 | 申请日: | 2009-07-28 |
| 公开(公告)号: | CN102105955A | 公开(公告)日: | 2011-06-22 |
| 发明(设计)人: | 约翰·D·普莱马克;克里斯·斯托拉斯基;阿莱西亚·梅洛迪;安东尼·P·查科;格雷戈里·J·邓恩 | 申请(专利权)人: | 凯米特电子公司;摩托罗拉解决方案公司 |
| 主分类号: | H01G4/40 | 分类号: | H01G4/40;H01G4/12 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;张天舒 |
| 地址: | 美国南*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 嵌入式 图案 电容 | ||
1.一种用于形成层合板的处理,所述层合板具有电容,该处理包括步骤:
提供基板;
在所述基板上层合导电箔,其中所述导电箔包括电介质;
在所述电介质的至少一个分立区域中形成导电层,从而形成至少一个分立阴极区域;
加工所述导电箔以使得所述导电箔的包含所述阴极区域的至少一个区域与其它导电箔电隔离。
2.根据权利要求1所述的形成层合板的处理,其中所述形成导电层的步骤发生在将所述导电箔层合至所述基板的步骤之前。
3.根据权利要求1所述的形成层合板的处理,还包括去除所述导电箔的不包括所述阴极区域的至少一个区域的步骤。
4.根据权利要求3所述的形成层合板的处理,在将所述导电箔层合至所述基板的步骤之前,还包括去除所述导电箔的不包括所述阴极区域的至少一个区域的步骤。
5.根据权利要求1所述的形成层合板的处理,还包括在所述导电层上层合第二基板的步骤。
6.一种通过权利要求5的处理形成的层合板。
7.根据权利要求5所述的形成层合板的处理,还包括形成至少一个电镀通孔的步骤。
8.根据权利要求1所述的形成层合板的处理,还包括在所述导电箔的至少一个区域与导电轨迹之间形成电连接的步骤。
9.根据权利要求8所述的形成层合板的处理,其中与所述导电轨迹的所述电连接包括通孔。
10.根据权利要求1所述的形成层合板的处理,还包括在所述至少一个阴极区域与导电轨迹之间形成电连接的步骤。
11.根据权利要求10所述的形成层合板的处理,其中与所述导电轨迹的所述电连接包括通孔。
12.根据权利要求1所述的形成层合板的处理,其中所述导电箔包括选自铝、钽、铌、钛和NbO的一个导体。
13.根据权利要求12所述的形成层合板的处理,其中所述导电箔包括铝。
14.根据权利要求1所述的形成层合板的处理,其中所述电介质是所述导电箔的氧化物。
15.根据权利要求1所述的形成层合板的处理,其中所述加工所述导电箔的步骤选自布线、锯切割、刀切割、化学刻蚀、水刀切割以及激光切割。
16.根据权利要求1所述的形成层合板的处理,其中所述基板包括玻璃增强聚合物。
17.一种通过权利要求1的处理形成的电容器。
18.一种用于形成层合板的处理,所述层合板具有电容,该处理包括步骤:
提供基板;
在所述基板上层合导电箔,其中所述导电箔包括电介质;
在所述电介质的至少一个分立区域中形成导电层,从而形成至少一个分立阴极区域;
加工所述导电箔以使得所述导电箔的包含所述阴极区域的至少一个区域与其它导电箔电隔离;
还包括在所述导电层上层合第二基板;
还包括形成至少一个电镀通孔,其中所述电镀通孔由如下步骤形成:
在所述阴极区域之外的一个区域中形成通过所述层合板的第一孔;
利用非导电材料填充所述第一孔;
形成通过所述非导电材料的第二孔,其中所述第二孔具有小于第一孔的直径;以及
将导电材料提供给所述第二孔,从而形成所述层合板的第一面与所述层合板的第二面之间的导电通道。
19.一种用于形成层合板的处理,所述层合板具有电容,该处理包括步骤:
提供基板;
在所述基板上层合导电箔,其中所述导电箔包括电介质;
在所述电介质的至少一个分立区域中形成导电层,从而形成至少一个分立阴极区域;
加工所述导电箔以使得所述导电箔的包含所述阴极区域的至少一个区域与其它导电箔电隔离;
其中所述导电层包括导电聚合材料或二氧化锰。
20.根据权利要求19所述的形成层合板的处理,其中所述导电聚合材料包括选自聚吡咯、聚苯胺、以及聚噻吩的材料。
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