[发明专利]制备高级氢化硅烷的方法

权利要求书

1.制备通式为H-(SiH₂)_n-H的高级氢化硅烷的方法，其中n≥2，其特征在于：

-一种或多种低级氢化硅烷，

-氢气，和

-一种或多种包含元素周期表第VIII过渡族的元素和镧系元素的过渡金属化合物

在大于5bar的绝对压力下反应，随后减压，从获得的反应混合物中分离出高级氢化硅烷。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于：使用甲硅烷。

3.根据权利要求1或2的方法，其特征在于：氢气分压相当于总压力的5％到80％。

4.根据权利要求1到3中任一项的方法，其特征在于：所述过渡金属是Co、Ir、Ni、Pd、Rh或Ru。

5.根据权利要求1到4中任一项的方法，其特征在于：所述过渡金属化合物具有以下配体：联吡啶；未取代的或取代的环戊二烯基；环辛二烯；氰基；羰基；烷基膦；芳基膦；烷基或芳基亚磷酸酯；烷基芳基膦；有桥接杂环或桥接芳基的双配位基膦配体；包含杂原子的配体，特别优选含磷的配体，就两个芳基或杂芳基体系来说，含磷的配体具有产生旋转对映异构现象的能力；烷基二膦R²R¹-P(CH_y)_xP-R³R⁴，其中R¹、R²、R³和R⁴分别是各自独立的烷基或芳基，x＝1-10，y＝0，1或2；R²R¹-P-CR⁵R⁶(CR⁷R⁸)_x-CR⁹R¹⁰-P-R³R⁴，其中R¹，R²，R³，R⁴，R⁵，R⁶，R⁷，R⁸，R⁹，R¹⁰分别是各自独立的H、烷基或芳基，x＝1-10；R¹-C≡C-R²，其中R¹和R²分别是各自独立的烷基膦、芳基膦或包含杂原子的配体。

6.根据权利要求1到5中任一项的方法，其特征在于：所述压力为20到200bar的绝对压力。

7.根据权利要求1到6中任一项的方法，其特征在于：所述温度为-50℃到200℃。

8.根据权利要求1到7中任一项的方法，其特征在于：溶剂为液相的组成部分。

9.可以根据权利要求1到8中任一项的方法获得的高级氢化硅烷用于制备硅的用途。

10.可以根据权利要求1到8中任一项的方法获得的高级氢化硅烷用于制备在光电和电子器件中传输电荷的部件的用途。