[发明专利]用于沉积反应器的方法和装置

权利要求书

1.一种方法，包括：

沿着至少一条馈入线，将前体蒸气引导进入沉积反应器的反应室；以及

通过在所述反应室内建立前体蒸气的垂直流，并且使得所述垂直流以垂直方向进入垂直放置的衬底之间，从而在所述反应室中的垂直放置的批量的衬底的表面上沉积材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述垂直放置的批量的衬底包括平行放置进入衬底支架内的一组晶片，并且所述一组晶片包括至少两个晶片。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述衬底支架被加载进反应室内，并且从所述反应室的顶侧从所述反应室中卸载。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述衬底支架被附接到可移动的反应室盖。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述前体蒸气通过反应室盖被馈入所述反应室。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述前体蒸气通过所述反应室盖被导入膨胀体积，并且从所述膨胀体积以垂直方向通过分配板进入包含所述衬底的所述反应室的部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其中通过顺序自饱和表面反应，在衬底表面上沉积薄膜。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述反应室的尺寸针对所述垂直放置的批量的衬底的尺寸或者承载所述衬底的衬底支架的尺寸而进行特别地优化。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述垂直流的方向为从顶到底。

10.一种装置，包括：

至少一条馈入线，配置为将前体蒸气馈入沉积反应器的反应室；并且

所述反应室配置为通过在所述反应室内建立前体蒸气的垂直流，并且使得所述垂直流以垂直方向进入垂直放置的衬底之间，从而在所述反应室中的垂直放置的批量的衬底的表面上沉积材料。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述垂直放置的批量的衬底包括平行放置进入衬底支架内的一组晶片，并且所述一组晶片包括至少两个晶片。

12.根据权利要求11所述的装置，包括：

反应室盖，配置为附接于所述衬底支架。

13.根据权利要求10所述的装置，包括：

反应室盖，所述装置被配置为经由所述反应室盖将所述前体蒸气馈入所述反应室。

14.根据权利要求13所述的装置，其中所述装置被配置为经由所述反应室盖将所述前体蒸气导入膨胀体积，并且从所述膨胀体积通过分配板以垂直方向导入包含所述衬底的所述反应室的部分。

15.根据权利要求10所述的装置，其中所述装置被配置为通过顺序自饱和表面反应在衬底表面上沉积薄膜。

16.根据权利要求10所述的装置，其中所述反应室的尺寸针对所述垂直放置的批量的衬底的尺寸或者承载所述衬底的衬底支架的尺寸而进行特别地优化。

17.根据权利要求10所述的装置，其中所述垂直流的方向为从顶到底。