[发明专利]织构化硅表面的方法及由该方法制造的晶片有效
| 申请号： | 200980117261.9 | 申请日： | 2009-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN102113123A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 因格玛·奥莱夫约德;蒂莫西·C·洛玛松 | 申请（专利权）人： | 诺鲁纳为股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/18;C25F3/12;H01L21/3063 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 挪威纳*** | 国省代码： | 挪威;NO |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 织构化硅 表面 方法 制造 晶片 | ||
1.一种织构化硅晶片的方法，其中所述方法包括：
将所述晶片浸泡在pH＞10的碱性溶液中，以及
在电解液中在所述晶片和铂电极之间施加+10V至+85V范围内的电势差。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述碱性溶液是下列化合物中一种或多种化合物的水溶液：LiOH、RbOH、NaOH和KOH。
3.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，极化时间在约1分钟直到约两小时的范围内，优选在约5分钟至约30分钟的范围内。
4.根据权利要求3的方法，其特征在于，所述碱性溶液是具有下列条件的KOH溶液或NaOH溶液：
浓度为约2重量％碱直到饱和，优选在约10重量％至约40重量％碱的范围内，
浴温为约10℃直到约70℃，优选约30℃至约50℃，
极化时间为约5分钟至约30分钟，以及
在所述晶片和铂对电极之间的外加电势在约+20V至+85V的范围内。
5.根据权利要求3的方法，其特征在于，所述碱性溶液是具有下列条件的KOH溶液或NaOH溶液：
浓度为2重量％至40重量％KOH或NaOH，浴温为30℃至70℃，以及其中
外加电势在85V和20V之间脉动。
6.根据权利要求5的方法，其特征在于，所述碱性溶液的浓度为10重量％至40重量％，所述浴温为30℃至50℃，以及外加电势在85V和20V的范围内脉动。
7.根据权利要求5的方法，其特征在于，所述碱性溶液的浓度为2重量％至10重量％，所述浴温为30℃至50℃，以及外加电势在85V和20V的范围内脉动。
8.根据权利要求5的方法，其特征在于，所述碱性溶液的浓度为2重量％至10重量％，所述浴温为10℃至30℃，以及外加电势在85V和20V的范围内脉动。
9.根据权利要求5的方法，其特征在于，所述碱性溶液的浓度为10重量％至40重量％，所述浴温为50℃至KOH溶液或NaOH溶液的沸点，以及外加电势在85V和20V的范围内脉动。
10.根据前面权利要求中任一项的方法，其特征在于，在施加电势前，在不施加所述电势的情况下，通过将晶片浸泡到碱性溶液中，对所述晶片进行一段时间的预腐蚀。
11.根据权利要求10的方法，其特征在于，所述预腐蚀的时间为1-2秒至约30分钟，优选约5分钟至约10分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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