[发明专利]固态摄像元件

权利要求书

1.一种固态摄像元件，其特征在于，具备有：信号线，形成于衬底上；岛状半导体，配置于所述信号线上；以及像素选择线，连接于所述岛状半导体的上部；

所述岛状半导体具备：

第1半导体层，配置于所述岛状半导体的下部，且连接于所述信号线；

第2半导体层，邻接于所述第1半导体层的上侧；

栅极，隔介绝缘膜连接于所述第2半导体层；

电荷蓄积部，连接于所述第2半导体层，且由一旦受光，电荷量便变化的第3半导体层所构成；以及

第4半导体层，邻接于所述第2半导体层与所述第3半导体层的上侧，且连接于所述像素选择线；

所述像素选择线通过透明导电膜来形成；

所述栅极的一部分配置于在所述第2半导体层的侧壁所形成的凹处的内部。

2.如权利要求1所述的固态摄像元件，其特征在于，所述信号线是n+型扩散层，所述第1半导体层是n+型扩散层，所述第2半导体层是p型杂质添加区域，所述第3半导体层是n型扩散层，所述第4半导体层是p+型扩散层。

3.如权利要求2所述的固态摄像元件，其特征在于，所述p+型扩散层、与n型扩散层作为光电转换用光电二极管发挥功能；

所述p+型扩散层、n型扩散层、与p型杂质添加区域作为放大用晶体管发挥功能；

所述第1半导体层的n+型扩散层、p型杂质添加区域、n型扩散层、与栅极作为复位晶体管发挥功能；

所述p型杂质添加区域、与n+型扩散层作为二极管发挥功能。

4.如权利要求1所述的固态摄像元件，其特征在于，所述岛状半导体是四角柱形状。

5.如权利要求1所述的固态摄像元件，其特征在于，所述岛状半导体是六角柱形状。

6.如权利要求1所述的固态摄像元件，其特征在于，所述岛状半导体是圆柱形状。

7.一种固态摄像器件，其特征在于，是将权利要求1所述的固态摄像元件对衬底以n行m列排列成行列状而得，n、m为1以上。

8.一种固态摄像器件，其特征在于，是将权利要求4所述的固态摄像元件对衬底以n行m列排列成行列状而得，n、m为1以上。

9.一种固态摄像器件，其特征在于，是将权利要求6所述的固态摄像元件对衬底以n行m列排列成行列状而得，n、m为1以上。

10.一种固态摄像器件，其特征在于，是将权利要求1所述的固态摄像元件在衬底上排列成蜂巢状而得。

11.一种固态摄像器件，其特征在于，是将权利要求5所述的固态摄像元件在衬底上排列成蜂巢状而得。

12.一种固态摄像器件，其特征在于，是将权利要求6所述的固态摄像元件在衬底上排列成蜂巢状而得。

13.一种固态摄像元件的制造方法，其特征在于，是权利要求1所述的固态摄像元件的制造方法，包括以下步骤：

于硅衬底上形成氧化膜，于氧化膜上形成p型硅，于p型硅上沉积氮化膜，沉积氧化膜，形成硅柱的光刻胶，对氧化膜、氮化膜进行蚀刻，剥离光刻胶，形成氮化膜掩模、氧化膜掩模的步骤；

对硅进行蚀刻，沉积氮化膜，进行蚀刻，于硅柱侧壁留下为边墙状，利用等方性蚀刻对硅进行蚀刻，于p型杂质添加区域的侧壁形成凹处的步骤；

对硅进行蚀刻，于p型杂质添加区域的侧壁形成具有凹处的岛状半导体，为了防止离子注入时的离子沟道效应，形成氧化膜，注入磷，进行退火，形成n+型扩散层，形成信号线用的光刻胶，对氧化膜进行蚀刻，对硅进行蚀刻，形成n+扩散层与信号线的步骤；

剥离光刻胶，剥离氮化膜，剥离氧化膜，沉积氧化膜，进行平坦化，进行回蚀，形成栅极绝缘膜，沉积多晶硅，进行平坦化，进行回蚀，形成栅极用的光刻胶，对多晶硅进行蚀刻，形成栅极的步骤；

剥离光刻胶，注入磷，形成电荷蓄积部的步骤；

沉积氧化膜，进行平坦化，进行回蚀，剥离氮化膜，形成氧化膜，注入硼，进行退火，形成p+型扩散层的步骤；

剥离氧化膜，沉积透明导电膜，形成像素选择线用的光刻胶，对透明导电膜进行蚀刻，剥离光刻胶，形成像素选择线的步骤；以及

形成表面保护膜的步骤。