[发明专利]气密密封用盖

说明书

技术领域

本发明涉及一种气密密封用盖，特别涉及一种在收纳电子部件的电子部件收纳用封装中使用的气密密封用盖。

背景技术

以往，已知有在收纳电子部件的电子部件收纳用封装中使用的气密密封用盖。这样的气密密封用盖例如公开在日本特开平8-264675号公报中。

上述日本特开平8-264675号公报中公开了一种在收纳半导体元件(电子部件)的封装中使用的陶瓷制盖子(气密密封用盖)。该陶瓷制盖子为了确保规定的机械强度，以超过0.7mm的厚度形成。

另外，近年来，随着要求薄型化的手机等中的内置电子部件的薄型化，也希望使收纳电子部件的电子部件收纳用封装的气密密封用盖也薄型化。

然而，在上述日本特开平8-264675号公报中记载的陶瓷制盖子(气密密封用盖)为了确保规定的机械强度，至少需要0.7mm的厚度，因此就存在不能使盖子充分薄型化的问题。

发明内容

本发明就是为了解决上述那样的课题而进行的发明，本发明的一个目的是提供一种可以更薄型化的气密密封用盖。

基于本发明的一个方面的气密密封用盖，在收纳电子部件的电子部件封装中使用，具备以Ti为主要成分的盖本体部。

基于该一个方面的气密密封用盖中，如上所述，通过设置以Ti为主要成分的盖本体部，Ti的机械强度比陶瓷的机械强度大，因此，与设置以陶瓷为主要成分的盖本体部的情况相比，能够减少盖本体部的厚度。其结果能够使气密密封用盖更加薄型化。此外，如果使用更加薄型化的气密密封用盖，就能够使电子部件收纳用封装更加薄型化。

基于上述一个方面的气密密封用盖中，优选还具备以覆盖盖本体部的方式设置的非磁性的第1镀层。若采用这样的结构，由于以Ti为主要成分的盖本体部以及以覆盖盖本体部的方式设置的第1镀层双方均为非磁性的，因此就能够得到作为整体为非磁性的气密密封用盖。由此，对于磁传感器等电子部件而言，也可以容易地使用本发明的非磁性气密密封用盖。

此时，优选第1镀层是含有P的Ni系镀层，Ni系镀层中的P的含有率为8质量％以上、20质量以下。若采用这样的结构，能够容易地得到非磁性的第1镀层。

在上述第1镀层是含有P的Ni系镀层的结构中，优选Ni系镀层中的P的含有率为8质量％以上、15质量％以下。若采用这样的结构，则在第1镀层的表面上设有焊接层的时候，能够确保焊接层良好的润湿性。此时，Ni系镀层中的P的含有率更优选为11质量％以上、13质量％以下。

在具备上述第1镀层的结构中，优选第1镀层的厚度在1μm以上、2μm以下。若这样使用2μm以下的厚度小的第1镀层，则既可以抑制气密密封用盖的厚度增大，也可以抑制对盖本体部的腐蚀。

在具备上述第1镀层的结构中，优选第1镀层是无电解Ni系镀层。若采用这样的结构，则通过耐腐蚀性优良的无电解Ni系镀层，能够抑制对盖本体部的腐蚀。

在上述第1镀层是无电解Ni系镀层的结构中，优选第1镀层是无电解Ni-P镀层。若采用这样的结构，则可以得到耐腐蚀性优良的非磁性的第1镀层，因此，既可以保持气密密封用盖整体的非磁性，也可以抑制对盖本体部的腐蚀。

在具备上述第1镀层的结构中，优选还具有设置在盖本体部和第1镀层之间的、用于增加密合性的第2镀层。若采用这样的结构，则能够通过第2镀层抑制第1镀层从盖本体部剥离。

在具备上述第2镀层的结构中，优选第2镀层是Ni系触击镀层。若这样使用Ni系触击镀层作为第2镀层，则可以容易地增加第1镀层和盖本体部的密合性，因此可以容易地抑制第1镀层从盖本体部剥离。

在具备上述第2镀层的结构中，优选第2镀层的厚度比第1镀层的厚度小。若这样使用厚度小的第2镀层，则既可以抑制气密密封用盖的厚度增大，又可以抑制第1镀层从盖本体部剥离。

在上述第2镀层的厚度比第1镀层的厚度小的结构中，优选第2镀层的厚度为0.01μm以上、0.3μm以下。若这样以0.01μm以、0.3μm以下的小的厚度形成第2镀层，则即使在第2镀层具有磁性的情况下，气密密封用盖整体也能够实质上不受第2镀层的磁性的影响，因此，既可以保证气密密封用盖整体的非磁性，也可以通过第2镀层抑制第1镀层从盖本体部剥离。

在具备上述第2镀层的结构中，优选第2镀层是电解Ni系触击镀层。若这样使用密合性优良的电解Ni系触击镀层作为第2镀层，则可以容易地抑制第1镀层从盖本体部剥离。