[发明专利]气密密封用盖有效
| 申请号： | 200980115687.0 | 申请日： | 2009-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102017132A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 山本雅春;平纯司 | 申请（专利权）人： | 株式会社新王材料 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 气密 密封 | ||
1.一种气密密封用盖(10)，其特征在于：
在收纳电子部件(40)的电子部件收纳用封装(100)中使用，具备以Ti为主要成分的盖本体部(1)。
2.如权利要求1所述的气密密封用盖，其特征在于：
还具备以覆盖所述盖本体部的方式设置的非磁性的第1镀层(2)。
3.如权利要求2所述的气密密封用盖，其特征在于：
所述第1镀层是含有P的Ni系镀层，
所述Ni系镀层中的P的含有率为8质量％以上、20质量％以下。
4.如权利要求3所述的气密密封用盖，其特征在于：
所述Ni系镀层中的P的含有率为8质量％以上、15质量％以下。
5.如权利要求4所述的气密密封用盖，其特征在于：
所述Ni系镀层中的P的含有率为11质量％以上、13质量％以下。
6.如权利要求2所述的气密密封用盖，其特征在于：
所述第1镀层的厚度为1μm以上、2μm以下。
7.如权利要求2所述的气密密封用盖，其特征在于：
所述第1镀层是无电解Ni系镀层。
8.如权利要求7所述的气密密封用盖，其特征在于：
所述第1镀层是无电解Ni-P镀层。
9.如权利要求2所述的气密密封用盖，其特征在于：
还具备在所述盖本体部和所述第1镀层之间配置的、用于提高密合性的第2镀层(3)。
10.如权利要求9所述的气密密封用盖，其特征在于：
所述第2镀层是Ni系触击镀层。
11.如权利要求9所述的气密密封用盖，其特征在于：
所述第2镀层的厚度比所述第1镀层的厚度小。
12.如权利要求11所述的气密密封用盖，其特征在于：
所述第2镀层的厚度为0.01μm以上、0.3μm以下。
13.如权利要求9所述的气密密封用盖，其特征在于：
所述第2镀层是电解Ni系触击镀层。
14.如权利要求1所述的气密密封用盖，其特征在于：
其通过以Sn系合金为主要成分的焊接层(4)安装在用于收纳所述电子部件的电子部件收纳构件(20)上。
15.如权利要求14所述的气密密封用盖，其特征在于：
在将所述气密密封用盖安装在所述电子部件收纳构件上之前，所述焊接层的厚度为65μm以上。
16.如权利要求15所述的气密密封用盖，其特征在于：
在将所述气密密封用盖安装在所述电子部件收纳构件上之前，所述焊接层的厚度为65μm以上、110μm以下。
17.如权利要求14所述的气密密封用盖，其特征在于：
所述以Sn系合金为主要成分的焊接层含有5质量％以上、10质量％以下的Sb。
18.如权利要求1所述的气密密封用盖，其特征在于：
其被安装在用于收纳所述电子部件的由陶瓷构成的电子部件收纳构件上。
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