[发明专利]聚合物成型体的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种聚合物成型体的制造方法。

背景技术

有机聚合物材料根据其各种类所具有的弹性模量、强度等机械性质，溶剂溶解性、亲水性、疏水性等化学性质，耐热性等热性质，可以被成型加工成膜状、纤维状、板状、粒状等各种形状，可以在各个领域中被使用。另外，也正在研究在由有机聚合物材料形成的结构体上施以小孔。

例如，专利文献1～3中公开了将具有各种图案的光致抗蚀剂用作掩模，对聚酰亚胺膜等有机高分子结构体进行蚀刻的方法。另外，专利文献4及5中公开了在塑料膜的压花部分形成小孔的方法。并且，专利文献6中公开了在表面具有带有开口的金属箔的塑料片材上，通过准分子激光的照射形成贯通孔的方法。专利文献7中公开了通过流体声波在薄的片材材料上形成微孔的方法。

专利文献1：日本特开平9-296057号公报

专利文献2：日本特开2001-305750号公报

专利文献3：日本特开昭60-111243号公报

专利文献4：日本特开昭62-267336号公报

专利文献5：日本特开平5-86216号公报

专利文献6：日本特开平5-15987号公报

专利文献7：日本特开平6-198598号公报

发明内容

但是，使用上述专利文献中公开的方法对含有聚乙醇酸的聚合物结构体进行蚀刻难以形成凹部。另外，由于专利文献1～3中公开的方法使用了湿蚀刻，所以存在废溶剂的处理问题。并且，使用专利文献4～7中公开的方法存在为了进行多孔化而导致工序变繁杂的趋势。

因此，本发明的目的在于提供一种可以在含有聚乙醇酸的聚合物结构体上形成凹部的聚合物成型体的制造方法及由此得到的聚合物成型体。

本发明提供一种聚合物成型体的制造方法，所述制造方法包括如下工序：在真空度为50mTorr以下、输出功率为1～6W且电流为3mA以下的条件下对含有聚乙醇酸的聚合物结构体进行干蚀刻，由此在上述聚合物结构体上形成凹部。

本发明人等对含有聚乙醇酸的聚合物结构体的蚀刻方法进行了深入研究，结果发现通过选择上述蚀刻条件，可以使聚乙醇酸之外的聚合物成分不被蚀刻，而只对聚乙醇酸进行良好地蚀刻，从而完成了本发明。使用上述制造方法，可以不经过现有的复杂工序，并且也不像湿处理那样产生废液，而是通过简便的处理在含有聚乙醇酸的聚合物结构体上形成凹部。另外，聚合物结构体只由聚乙醇酸构成时，通过使用具有规定图案的掩模进行蚀刻，可以得到在对应于掩模开口部的位置形成凹部的聚合物成型体。另外，聚合物结构体含有聚乙醇酸和聚乙醇酸之外的聚合物成分时，可以制造只选择地蚀刻存在于聚合物结构体表面附近的聚乙醇酸部分而形成凹部的聚合物成型体。

上述制造方法中，干蚀刻优选氩离子蚀刻。由于氩离子蚀刻在垂直方向的蚀刻性优异，所以可以在更温和的条件下形成具有整齐蚀刻形状(难引起侧蚀)的凹部的聚合物成型体。

本发明还提供一种可以由上述聚合物成型体的制造方法得到的聚合物成型体。聚合物结构体只由聚乙醇酸形成时，由于聚乙醇酸为生物可降解性聚合物，所以形成有上述凹部的聚合物成型体可以用作活细胞的培养基材。

根据本发明，可以提供一种可以在含有聚乙醇酸的聚合物结构体上形成凹部的聚合物成型体的制造方法及由此得到的聚合物成型体。

附图说明

[图1]为表示通过本发明的制造方法得到的聚合物成型体的实施方式的立体图。

[图2]为通过立体图表示的本发明聚合物成型体的制造方法的实施方式工序图。

[图3]为表示平纹织物网眼的模式图。

[图4]为从蚀刻表面观察的由实施例1得到的PGA成型体的SEM图像。

[图5]为从蚀刻表面观察的由实施例7得到的PGA成型体的SEM图像。

[图6]为从蚀刻表面观察的由实施例11得到的PGA/PET成型体的SEM图像。

[图7]为从蚀刻表面观察的由实施例12得到的PGA/PP成型体的SEM图像。

[图8]为从蚀刻表面观察的由实施例13得到的PGA/PLA成型体的SEM图像。

[图9]为从蚀刻表面观察的由比较例5得到的蚀刻后的PVDF膜的SEM图像。

符号说明

1...聚合物成型体；2...聚合物结构体；3...凹部；4...第1掩模；6...第2掩模；8...干蚀刻装置；10...平纹织物网眼；12...孔径；14...线径。

具体实施方式