[发明专利]芳基磺酸化合物及其作为电子受体材料的应用有效
| 申请号: | 200980108192.5 | 申请日: | 2009-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN101959852A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
| 发明(设计)人: | 中家直树;吉本卓司 | 申请(专利权)人: | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号: | C07C309/43 | 分类号: | C07C309/43;C09K11/06;H01L51/50 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 贾成功 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芳基磺 酸化 及其 作为 电子 受体 材料 应用 | ||
技术领域
本发明涉及芳基磺酸化合物及其作为电子受体材料的应用。对于该应用,提及含有由芳基磺酸化合物构成的电子受体材料的清漆、使用该清漆的电荷传输薄膜、以及使用该薄膜的有机场致发光(下文称作有机EL)器件等。
背景技术
关于有机EL器件、特别是低分子量有机EL(下文缩写为OLED)器件,Eastman Kodak公司研发了有机层的超薄成膜化和基于多层化的功能分离,从而显著改善该器件的特性例如驱动电压的显著降低等(非专利文献1:Applied Physics Letters,美国,1987年,51卷,913-915页)。
Cambridge University发现了使用高分子发光材料的有机EL(以下简称为PLED)器件(非专利文献2:Nature,英国,1990年,第347卷,539-541页),近年来高分子有机EL器件的特性已经提高到与不落后于常规OLED器件的水平。
关于OLED器件,报导有提供铜酞菁(CuPC)层作为空穴注入层,可实现驱动电压的降低和初始特性例如发光效率和寿命特性的改善(非专利文献3:Applied Physics Letters,美国,1996年,69卷,2160-2162页)。
在另一方面,还报导有当使用聚苯胺类材料(非专利文献4:Nature,英国,1992年,第357卷,477-479页和非专利文献5:AppliedPhysics Letters,美国,1994年,64卷,1245-1247页)和聚噻吩类材料(非专利文献6:Applied Physics Letters,美国,1998年,72卷,2660-2662页)作为空穴传输层(缓冲层)时,可得到与OLED器件类似的效果。
而且,发现了当在这些器件的阴极侧使用金属氧化物(非专利文献7:IEEE Transactions on Electron Devices,美国,1997年,44卷,1245-1248页)、金属卤化物(非专利文献8:Applied PhysicsLetters,美国,1997年,70卷,152-154页)、金属配合物(非专利文献9:Japanese Journal of Applied physics,1999年,第38卷,L1348-1350页)等作为电子注入层,初始特性得到改善,这些电荷注入层和缓冲层现在普遍使用中。
在最近几年中,研发了使用低分子量低聚苯胺类材料的有机溶剂系的电荷传输清漆并且发现了通过插入使用上述材料得到的空穴注入层而显示出优异的EL器件特性(专利文献1:JP-A-2002-151272)。
然而,OLED器件中通常使用的空穴注入材料CuPC,形状非常不规则,如果将其以微量混入其它有机层则特性得到大幅降低的缺点。
目前用于PLED器件的聚苯胺类材料和聚噻吩类材料涉及以下问题:它们含有可能促使器件劣化的水作为溶剂,溶剂的选择受限制,以及由于材料的凝集和低溶解性而使确保均匀成膜的涂布方法也受到限制。
而且,在使用含有高溶解性的低分子量低聚苯胺类材料的有机溶剂系电荷传输清漆时,可以产生对可使用的电子接受性掺杂剂材料的种类的限制以及电子接受性掺杂剂的耐热性和无定形性低的问题。另外,在含有低分子量电荷传输材料和电荷接受性掺杂剂材料的电子传输清漆、特别是含有结晶性材料的清漆中,通常在确保高平坦性的成膜中可能涉及困难。
专利文献1:JP-A-2002-151272
专利文献2:WO 2006/025342
非专利文献1:Applied Physics Letters,美国,1987年,51卷,913-915页
非专利文献2:Nature,英国,1990年,第347卷,539-541页
非专利文献3:Applied Physics Letters,美国,1996年,69卷,2160-2162页
非专利文献4:Nature,英国,1992年,第357卷,477-479页
非专利文献5:Applied Physics Letters,美国,1994年,64卷,1245-1247页
非专利文献6:Applied Physics Letters,美国,1998年,72卷,2660-2662页
非专利文献7:IEEE Transactions on Electron Devices,美国,1997年,44卷,1245-1248页
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