[发明专利]半导体激光元件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体激光元件及其制造方法，特别是涉及一种将半导体激光元件与支承基板接合的半导体激光元件及其制造方法。

背景技术

目前，氮化物系半导体具有大的带隙及高的热稳定性，且通过调节使半导体层进行结晶成长时的组成，可控制带隙宽度。因此，希望氮化物系半导体可以应用于以激光发光元件、高温的元件为代表的各种半导体装置的材料。特别是作为与大容量光盘相对应的拾波用光源，正在推进使用了氮化物系半导体的激光发光元件的实用化。

另外，在将氮化物系半导体用作激光发光元件的情况下，在通过解理形成谐振器面时，对于蓝宝石基板等因硬而难以解理的成长用基板，采用在通过对成长用基板的背面进行研磨而使基板的厚度变小的基础上进行解理的方法。但是，除需要对成长用基板进行研磨的工序之外，还因研磨时的热膨胀作用及研磨后的半导体内部的残留应力等，而不能使激光发光元件的批量生产率良好。

因此，近年来，有提案提出了通过将形成于成长用基板侧的氮化物系半导体层重新粘贴于由比成长用基板的材质软的材质构成的支承基板侧的激光发光元件。这样的激光发光元件例如公示于特开2007-103460号公报。

在上述特开2007-103460号公报上，所公示的半导体激光元件及其制造方法通过将形成于作为成长用基板的蓝宝石基板上的半导体激光元件层与蓝宝石基板剥离，且将其重新粘贴于由Cu-W构成的支承基板侧而形成。在该日本特开2007-103460号公报所记载的半导体元件中，半导体激光元件层以下述方式形成，在具有规定宽度的n型包层上层叠有具有比n型包层的宽度小的宽度的活性层及p型包层等，且在p型包层的上部区域具有脊。而且，p型包层的上面侧介由热粘接层与支承基板侧接合。

在此，在成长用基板具有沿规定的方向延伸的条带状缺陷集中区域的情况下，在存在缺陷集中区域的区域和不存在缺陷集中区域的区域，半导体层的结晶成长的状态各不相同。即，半导体层在不存在缺陷集中区域的区域进行正常的结晶成长，相反，在存在缺陷集中区域的区域附近却发生异常成长。因此，由于在缺陷集中区域附近成长的半导体层的厚度变得比在不存在缺陷集中区域的区域附近成长的半导体层的厚度大，因而使结晶成长后的半导体层失去平坦性。另外，通常，在具有缺陷集中区域的基板上形成有半导体激光元件层的情况下，光波导路以在缺陷集中区域少的区域上延伸的方式形成。因此，为了在光波导路以外的区域(例如，激光元件的宽度方向的侧端部区域等)配置基板的缺陷集中区域，而在光波导路以外的区域使半导体层成长得更厚。在该状态下，在以规定的压力下粘贴半导体层侧和支承基板侧的情况下，由于在缺陷集中区域附近成长的厚度大的部分抵接于基板表面，因此在半导体层产生翘曲变形及内部应力等。其结果是，在含有光波导路的半导体层内部产生裂缝而成为元件不良的原因。因此，在重新粘贴型半导体激光元件中，要求在元件重新粘贴时的半导体层内部，既降低在活性层也降低在包层易产生的裂缝。

但是，在上述特开2007-103460号公报提出的现有半导体激光元件及其制造方法中，例如在使用具有缺陷集中区域的成长用基板形成半导体激光元件层的情况下，由于构成光波导路的p型包层及活性层的宽度没有下部的n型包层的宽度大(宽度广)，因而其存在的问题点是，在将半导体激光元件层重新粘贴到支承基板时，要抑制在激光元件的宽度方向的侧端部区域等缺陷集中区域附近异常成长的半导体层为起点而产生的裂缝，进入活性层及活性层上部的p型包层，同时，该裂缝易产生于活性层附近的n型包层。

发明内容

本发明是为解决上述那样的课题而设立的，本发明的目的之一在于提供一种可抑制在活性层附近的包层产生裂缝的半导体激光元件及其制造方法。

本发明第一方式的半导体激光元件具备第一半导体元件部和与上述第一半导体元件部接合的支承基板，其中，第一半导体元件部具备：谐振器；第一导电型第一包层，其具有：在与谐振器延伸的第一方向相交叉的第二方向具有第一宽度的第一区域、和在第二方向具有宽度比形成于第一区域上的第一宽度小的第二宽度的第二区域；形成于第一包层的第二区域上的第一活性层及第二导电型第二包层。