[发明专利]半导体激光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光元件，其特征在于：

具备第一半导体元件部和与所述第一半导体元件部接合的支承基板，

所述第一半导体元件部具备：

谐振器；

第一导电型第一包层，其具有：在与所述谐振器延伸的第一方向相交叉的第二方向具有第一宽度的第一区域、和在所述第二方向具有宽度比形成于所述第一区域上的所述第一宽度小的第二宽度的第二区域；和

形成于所述第一包层的所述第二区域上的第一活性层及第二导电型第二包层。

2.如权利要求1所述的半导体激光元件，其中，所述第二包层具有：平坦部、和形成于所述平坦部且具有宽度比所述第二宽度小的第三宽度的凸部。

3.如权利要求2所述的半导体激光元件，其中，

所述凸部形成有多个，

与所述多个凸部对应的所述第一活性层的部分分别成为所述第一半导体元件部的光波导路。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体激光元件，其中，

由所述第一区域和所述第二区域在所述第一包层形成有台阶部，

所述台阶部以沿所述第一方向延伸的方式形成。

5.如权利要求4所述的半导体激光元件，其中，所述第二区域形成于所述第一区域的除两端部的区域。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体激光元件，其中，在所述谐振器的端面附近，具有所述第二区域的宽度比所述第二宽度小的第四宽度。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体激光元件，其中，所述第二方向中的所述第一活性层及所述第二包层的宽度与所述第二宽度相同。

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体激光元件，其中，所述第二区域形成多个。

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体激光元件，其中，所述第一区域的宽度比所述支承基板的宽度小。

10.如权利要求1～9中任一项所述的半导体激光元件，其中，所述第一半导体元件部还包含覆盖所述第一区域的侧面的绝缘膜。

11.如权利要求1～10中任一项所述的半导体激光元件，其中，在所述支承基板形成有具有第二活性层的第二半导体元件部。

12.如权利要求1～11中任一项所述的半导体激光元件，其中，所述第一半导体元件部的所述第二包层侧与所述支承基板接合。

13.如权利要求1～12中任一项所述的半导体激光元件，其中，所述第一半导体元件部和所述支承基板介由热粘接层接合。

14.一种半导体激光元件的制造方法，其特征在于，具备：

在所述成长用基板上使第一导电型第一包层、活性层及第二导电型第二包层成长的工序；

以具有拥有第一宽度的第一区域和在所述第一区域上拥有比所述第一宽度小的第二宽度的第二区域的方式形成所述第一包层的工序；和

在所述成长用基板上的所述第二包层侧接合支承基板的工序。

15.如权利要求14所述的半导体激光元件的制造方法，其中，还具备除去所述成长用基板的工序。

16.如权利要求14或者15所述的半导体激光元件的制造方法，其中，所述成长用基板具有条带状的缺陷集中区域。

17.如权利要求16所述半导体激光元件的制造方法，其中，还具备在所述缺陷集中区域的至少局部除去所述第一包层、所述活性层及所述第二包层的工序。

18.如权利要求14～17中任一项所述的半导体激光元件的制造方法，其中，在以具有所述第一区域和所述第二区域的方式形成所述第一包层的工序之后，还具备将平坦部和形成于所述平坦部且具有比所述第二宽度小的第三宽度的凸部形成于所述第二包层的工序。

19.如权利要求18所述的半导体激光元件的制造方法，其中，在所述第二包层形成所述凸部的工序具备将多个所述凸部形成于所述第二包层的工序。

20.如权利要求14～19中任一项所述的半导体激光元件的制造方法，其中，使所述第一包层成长的工序具备在所述成长用基板上介由剥离层使所述第一包层成长的工序。