[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，具备：

基板；

活性层，其形成于上述基板，具有沟道区域和分别位于上述沟道区域两侧的第1区域和第2区域；

第1接触层和第2接触层，其分别与上述活性层的第1区域和第2区域相接；

第1电极，其通过上述第1接触层与上述第1区域电连接；

第2电极，其通过上述第2接触层与上述第2区域电连接；以及

栅极电极，其隔着栅极绝缘层与上述活性层相对设置，控制上述沟道区域的导电性，

上述活性层含有硅，

在上述活性层与上述第1接触层和第2接触层之间还具备含氧的硅层，

上述含氧的硅层以比上述活性层和上述第1接触层及第2接触层高的浓度含有氧。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，

上述活性层由具有晶粒和非晶相的微晶硅膜形成。

3.根据权利要求2所述的半导体元件，

在上述微晶硅膜中上述非晶相所占的体积率为5％以上95％以下。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体元件，

上述含氧的硅层以比1×10²⁰atoms/cm³高的浓度含有氧。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体元件，

上述含氧的硅层是上述活性层的表面氧化膜。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的半导体元件，

上述栅极电极设置在上述活性层和上述基板之间。

7.根据权利要求1所述的半导体元件，

其具有沟道保护型构造。

8.一种有源矩阵基板，

其具备权利要求1～7中的任一项所述的半导体元件。

9.一种显示装置，

其具备权利要求1～7中的任一项所述的半导体元件。

10.一种半导体元件的制造方法，包括如下工序：

(A)在基板上形成栅极电极的工序；

(B)形成栅极绝缘层来覆盖上述栅极电极的工序；

(C)在上述栅极绝缘层上形成含有硅的活性层的工序；

(D)在上述活性层中的至少位于成为沟道区域的部分的两端的第1区域和第2区域上形成含氧的硅层的工序；

(E)形成通过上述含氧的硅层与上述第1区域电连接的第1接触层和通过上述含氧的硅层与上述第2区域电连接的第2接触层的工序；以及

(F)形成与上述第1接触层电连接的源极电极和与上述第2接触层电连接的漏极电极的工序。

11.根据权利要求10所述的半导体元件的制造方法，

上述工序(C)包括形成微晶硅膜的工序(C1)和通过进行上述微晶硅膜的图案化而形成上述活性层的工序(C2)。

12.根据权利要求11所述的半导体元件的制造方法，

上述工序(D)包括通过使上述微晶硅膜或上述活性层的表面氧化而在上述微晶硅膜或上述活性层上形成含氧的硅层的工序。

13.根据权利要求11所述的半导体元件的制造方法，

上述工序(D)包括在上述微晶硅膜上形成含氧的硅膜的工序(D1)和通过进行上述含氧的硅膜的图案化而形成上述含氧的硅层的工序(D2)，

上述工序(C1)和上述工序(D1)在同一腔内连续进行。

14.根据权利要求11所述的半导体元件的制造方法，

上述工序(D)包括在上述微晶硅膜上形成含氧的硅膜的工序(D1)和通过进行上述含氧的硅膜的图案化而形成上述含氧的硅层的工序(D2)，

上述工序(E)包括在上述含氧的硅膜或上述含氧的硅层上形成接触层形成用的半导体膜的工序(E1)和通过进行上述半导体膜的图案化而形成上述第1接触层和第2接触层的工序(E2)，

上述工序(E2)包括将上述含氧的硅膜或上述含氧的硅层作为蚀刻停止层来蚀刻上述半导体膜的工序。

15.根据权利要求10所述的半导体元件的制造方法，

在上述工序(C)和上述工序(E)之间，还包括形成覆盖上述活性层中的至少成为沟道区域的部分的蚀刻停止层的工序，

上述工序(D)是在上述活性层中的未被上述蚀刻停止层覆盖的部分上形成含氧的硅层的工序。