[发明专利]半导体晶片的保护膜的形成装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶片的保护膜的形成装置，更详细地说，涉及在半导体晶片的表面形成由紫外线固化树脂形成的保护膜的半导体晶片的保护膜的形成装置。

背景技术

在现有技术中，作为一种在基板的表面形成由紫外线固化树脂形成的保护膜的装置，包括：使涂敷有紫外线固化树脂的基板旋转的旋转部；配置在上述基板的上方，对该基板照射紫外线的光线；以及配置在上述基板的外侧的大致圆环状的光反射体。上述光反射体使上述紫外线反射的反射面为曲面，被该反射面反射的紫外线照射上述基板的外周面(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2000-276785号公报

但是，在这样构成的现有的保护膜的形成装置中，利用离心力使未固化的紫外线固化树脂延伸，因此紫外线固化树脂容易集中在基板的外周部，随之，存在在基板的直径方向上发生厚度不均等的问题。

发明内容

于是，本发明的目的在于提供一种半导体晶片的保护膜的形成装置，其能够在半导体晶片的表面以均匀的厚度形成紫外线固化树脂的保护膜。

本发明的半导体晶片的保护膜的形成装置，在半导体晶片的表面形成由紫外线固化树脂形成的保护膜，该半导体晶片的保护膜的形成装置包括：机台和定盘，其具有上下贯通且能够通过紫外线的开口；光反射体，其安装在上述定盘的下部并将紫外线向上方反射；紫外线照射单元，其安装在该光反射体的下部并将紫外线向上方照射；升降部件，其能够升降地配置在上述定盘的上方位置；紫外线透过性的受压部件，其在上述定盘的上表面以覆盖上述开口的方式被安装，且具有能够载置上述半导体晶片的平坦状的上表面；加压部件，其位于上述升降部件的下侧，经由角度调整单元并且与上述受压部件相对地安装于该升降部件，且具有平坦状的下表面；以及电动气缸，其使上述升降部件升降。

根据本发明，在涂敷在受压部件上的紫外线固化树脂上载置半导体晶片，从半导体晶片的上方进行加压，使紫外线固化树脂变薄，延伸成均匀的膜厚，之后从下方对该紫外线固化树脂照射紫外线，使紫外线固化树脂固化，因此，能够在半导体晶片的表面以均匀的厚度形成紫外线固化树脂的保护膜。

附图说明

图1是应用本发明的一实施方式的半导体晶片的保护膜的形成装置的主要部分切开主视图；以及

图2是图1的A部的放大细节图。

符号说明

W半导体晶片；1开口；2定盘；3机台；4光反射体；5紫外线照射单元；6升降部件；7受压部件；8角度调整单元；9加压部件；10电动气缸；10a伺服电机；10b编码器；20负载传感器；21控制器

具体实施方式

以下，对于应用本发明的半导体晶片的保护膜的形成装置的一个实施方式，基于图1和图2进行详细说明。本保护膜的形成装置如图1所示，包括：机台3和定盘2，其具有上下贯通且能够通过紫外线的开口1；光反射体4，其安装在上述定盘2的下表面并将紫外线向上方反射；紫外线照射单元5，其安装在该光反射体4的下部并将紫外线向上方照射；升降部件6，其在上述定盘2的上方配置为与定盘2相对且能够升降；紫外线透过性的受压部件7，其在上述定盘2的上表面以覆盖上述开口1的方式被安装，且具有能够载置半导体晶片W的平坦状的上表面；加压部件9，其位于上述升降部件6的下侧，经由角度调整单元8并且与上述受压部件7相对地安装于该升降部件6，且具有平坦状的下表面；以及电动气缸10，其使上述升降部件6升降。

作为上述加压部件9，优选由表面粗糙度良好且热变形小的材料制作，例如能够使用氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷、氮化硅陶瓷或碳化硅陶瓷等陶瓷。在本实施方式中，加压部件9为电绝缘性、耐磨损性和化学稳定性优异的高纯度的氧化铝陶瓷，由此，杨氏模量高至380GPa，难以挠曲，而且热变形小，即使承受紫外线变形也很小。

上述受压部件7能够为紫外线透过率高的玻璃制品。此外，优选设置冷却该受压部件7的冷却单元(未图示)。例如，作为冷却单元，设置朝向受压部件7的送风风扇，或者设置在水平方向贯通受压部件7的多个通路，在该通路中使致冷剂循环，通过采用该结构，能够抑制受压部件7的变形。

而且，上述受压部件7由安装在上述定盘2的上表面的框状的引导部件11固定。而且，如图2所示，该受压部件7的周缘部呈高度比该受压部件7的上表面低的台阶状，利用螺纹接合于上述引导部件11的固定螺钉12，以插入有扁钢13和树脂制平板14的方式按压、固定该较低的台阶状部分。通过插入有这些扁钢13和树脂制平板14，能够分散由固定螺钉12引起的对上述受压部件7的按压力，能够防止受压部件7的损伤。另外，符号12a是固定引导部件11的螺栓。