[实用新型]一种四氯化硅氢化炉有效

专利信息
申请号: 200920319109.6 申请日: 2009-12-30
公开(公告)号: CN201722157U 公开(公告)日: 2011-01-26
发明(设计)人: 许志斌;梅国刚;谢晓 申请(专利权)人: 峨嵋半导体材料研究所
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03;C30B29/06
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 刘雪莲
地址: 614200 *** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 氯化 氢化
【权利要求书】:

1.一种四氯化硅氢化炉,包括一钟罩式双层炉体(6)和中间通冷却水的双层复合式底盘(2),炉体(6)与底盘(2)通过法兰、螺杆或快速卡子(3)相连接;炉体(6)的壳体夹层间通冷却水,冷却水的进水口(10)设置在炉体(6)的下部,炉体(6)的内部设置有多个倒U型加热器(9),双层复合式底盘(2)上设置有出气口(1)和多个电极(11),电极(11)与加热器(9)之间电连接;其特征在于:冷却水的出水口(7)设置于炉体(6)的顶部,上端为标准椭圆封头;炉体(6)与加热器(9)之间还设置有隔热屏(4)及耐腐蚀保温层(12);双层复合式底盘(2)上还设置多个进气管(13)。

2.根据权利要求1所述的四氯化硅氢化炉,其特征在于:四氯化硅氢化炉的电极(11)有36个,从内向外分3圈排布,分别为6个、12个、18个,所述进气管(13)有6个,与第二圈电极分布在同一圆周上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于峨嵋半导体材料研究所,未经峨嵋半导体材料研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200920319109.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top