[实用新型]画素结构及显示面板

说明书

技术领域

本实用新型是有关于一种画素结构以及具有此画素结构的显示面板，且特别是有关于一种具有良好的反射率与产品良率的画素结构以及具有此画素结构的显示面板。 

背景技术

一般而言，显示面板所使用的画素结构设计可分为穿透式、反射式以及半穿透半反射式等三大类，其中，具有半穿透半反射式画素结构的显示面板，可同时在光线充足与光线不足的情形下使用，因此可应用的范围较为广泛。 

图1为习知的半穿透半反射式画素结构，在光阻PR显影时的示意图。图2A为图1的区域A的放大示意图。图2B为图2A在显影后的示意图。请先参照图1，此半穿透半反射式画素结构100具有穿透区102与反射区104，且此半穿透半反射式画素结构100包括：主动组件110、电容电极CS、保护层120、平坦层125、画素电极图案130以及反射层140。 

主动组件110与电容电极CS配置于基板101上。主动组件110具有闸极112、源极114、汲极116与通道层118。闸绝缘层GI覆盖闸极112与电容电极CS。通道层118位于闸极112上方的闸绝缘层GI上。源极114与汲极116位于通道层118的两侧。保护层120覆盖主动组件110。平坦层125配置于保护层120上。主动组件110上方的保护层120与平坦层125具有接触窗开口W。画素电极图案130配置于平坦层125上，且画素电极图案130透过接触窗开口W与主动组件110电性连接。画素电极图案130的材料采用铟锡氧化物(indium tin oxide, ITO)。反射层140配置于画素电极图案130上，反射层140的材料一般是采用反射率较佳的金属，如铝或其合金。 

值得注意的是，在后续形成光阻PR来对反射层140进行图案化制程，于光阻PR的显影过程中，所使用的强碱性显影液将腐蚀反射层140的铝或其合金。 

请同时参照图2A与图2B，采用纯铝或其合金的反射层140容易会被强碱显影液所腐蚀，而露出位于反射层140下方的画素电极图案130，如区域B所示。此时，处于强碱性显影液中的画素电极图案130与反射层140正好产生下列式（1）的氧化还原反应：In₂O₃+2Al Al₂O₃+2In  ……（1）。 

如此一来，区域B处的画素电极图案130的边缘部份容易剥落而造成产品的良率损失。 

图3为习知的另一种半穿透半反射式画素结构的示意图。请参照图3，在此半穿透半反射式画素结构100a中，先将反射层140的图形定义完成后，再制作画素电极图案130，如此一来，画素电极图案130不会被强碱显影液所腐蚀。然而，因为将画素电极图案130覆盖于反射层140上，会使得反射层140无法直接反射光线，而使反射层140的反射率降低。 

此外，亦有提出使用其它金属，如铬(Cr)来取代铝的做法，藉以避免画素电极图案130剥落的问题。然而，由于其它金属的反射率较铝还低，所以以其它金属取代铝来制作反射层140，仍无法避免反射率降低的问题。 

发明内容

有鉴于此，本实用新型提供一种画素结构，具有良好的反射率以及产品良率。 

本实用新型提供一种显示面板，具有上述的画素结构，可具有良好的反射率以及产品良率。 

基于上述，本实用新型提出一种画素结构，配置于基板上，此画素结构具有穿透区与反射区。画素结构包括：主动组件、保护层、画素电极图案以及反射层。主动组件配置于基板上。保护层覆盖主动组件，其中主动组件上方的保护层具有接触窗开口。画素电极图案配置于保护层上方，其中画素电极图案藉由接触窗开口与主动组件电性连接。反射层配置于画素电极图案上且位于反射区内，其中，反射层包括堆栈于画素电极图案上的第一金属层及金属氮化层。 

在本实用新型的一实施例中，上述的画素结构更包括平坦层，覆盖保护层，其中，画素电极图案配置于平坦层上，且接触窗开口也形成于平坦层中。 

在本实用新型的一实施例中，上述金属氮化层配置于画素电极图案上，且第一金属层配置于金属氮化层上。 

在本实用新型的一实施例中，上述第一金属层配置于画素电极图案上，且金属氮化层配置于第一金属层上。 

在本实用新型的一实施例中，上述反射层更包括第二金属层，而第一金属层、金属氮化层与第二金属层依序堆栈于画素电极图案上。 

在本实用新型的一实施例中，上述主动组件包括闸极、源极以及汲极，且接触窗开口暴露出汲极。