[实用新型]画素结构及显示面板

权利要求书

1.一种画素结构，配置于一基板上，其特征在于：该画素结构具有一穿透区与一反射区，且该画素结构包括：一主动组件，配置于该基板上；一保护层，覆盖该主动组件，其中该主动组件上方的该保护层具有一接触窗开口；一画素电极图案，配置于该保护层上方，其中该画素电极图案藉由该接触窗开口与该主动组件电性连接；以及一反射层，配置于画素电极图案上且位于该反射区内，其中，该反射层包括堆栈于该画素电极图案上的一第一金属层及一金属氮化层。

2.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于：其中，该金属氮化层配置于该画素电极图案上，且该第一金属层配置于该金属氮化层上。

3.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于：其中，该第一金属层配置于该画素电极图案上，且该金属氮化层配置于该第一金属层上。

4.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于：其中，该反射层更包括一第二金属层，而该第一金属层、该金属氮化层与该第二金属层依序堆栈于该画素电极图案上。

5.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于：更包括一平坦层，覆盖该保护层，其中，该画素电极图案配置于该平坦层上，且该接触窗开口也形成于该平坦层中。

6.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于：其中，该主动组件包括一闸极、一源极以及一汲极，且该接触窗开口暴露出该汲极。

7.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于：其中，该金属氮化层的厚度介于100埃米到400埃米之间。

8.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于：其中，该画素电极图案位于该穿透区与该反射区中；该画素电极图案的材质包括：铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。

9.一种显示面板，其特征在于：包括：一第一基板，具有多个画素结构，各该画素结构配置于该第一基板上，且各该画素结构具有一穿透区与一反射区，各该画素结构包括：一主动组件，配置于该第一基板上；一保护层，覆盖该主动组件，其中该主动组件上方的该保护层具有一接触窗开口；一画素电极图案，配置于该保护层上方，其中该画素电极图案藉由该接触窗开口与该主动组件电性连接；一反射层，配置于画素电极图案上且位于该反射区内，其中，该反射层包括堆栈于该画素电极图案上的一第一金属层以及一金属氮化层；一第二基板，与该第一基板对向设置；以及一显示介质层，配置于该第一基板以及该第二基板之间。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于：其中，该金属氮化层配置于该画素电极图案上，且该第一金属层配置于该金属氮化层上。

11.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于：其中，该第一金属层配置于该画素电极图案上，且该金属氮化层配置于该第一金属层上。

12.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于：其中，该反射层更包括一第二金属层，而该第一金属层、该金属氮化层与该第二金属层依序堆栈于该画素电极图案上。

13.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于：更包括一平坦层，覆盖该保护层，其中，该画素电极图案配置于该平坦层上，且该接触窗开口也形成于该平坦层中。

14.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于：其中，该主动组件包括一闸极、一源极以及一汲极，且该接触窗开口暴露出该汲极。

15.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于：其中，该金属氮化层的厚度介于100埃米到400埃米之间。

16.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于：其中，该画素电极图案位于该穿透区与该反射区中；该画素电极图案的材质包括铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。

17.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于：其中，该显示介质层包括一液晶层。