[实用新型]用于电容麦克风的隔圈一体型膜片有效

专利信息
申请号: 200920149596.6 申请日: 2009-05-15
公开(公告)号: CN201403190Y 公开(公告)日: 2010-02-10
发明(设计)人: 李源泽;金昌元;金正敏;金亨周 申请(专利权)人: 宝星电子株式会社
主分类号: H04R7/02 分类号: H04R7/02;H04R9/04;H04R1/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李 辉
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 电容 麦克风 隔圈一 体型 膜片
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及电容麦克风,更详细地说,涉及隔圈一体型膜片,其中,隔圈和膜片形成为一体,从而能够削减部件数量和工序数量,减少麦克风的制造费用,消除寄生电容。

背景技术

如图1所示,典型的电容麦克风10由如下部分构成:壳体11,其由前面板形成有声孔11a的圆筒形金属构成;由导体构成的极环12;膜片13;隔圈14;由绝缘体构成的环形的第一基座(下面也称作“绝缘基座”)15;隔着隔圈14与膜片13对置的固定电极16;由导体构成的第二基座(也称作“导电基座”)17;以及安装有电路部件且形成有连接端子的PCB 18,通常,在壳体11内依次层叠上述各部件之后,将壳体11的末端卷曲11b,从而制造电容麦克风。此时,极环12和膜片13相互接合而形成为一体型,在驻极体型麦克风的情况下,固定电极16采用在金属板上附着高分子膜来形成驻极体的结构。

典型的电容麦克风采用膜片和隔圈分开的独立结构,通常隔圈由绝缘的高分子膜构成。

但是,由高分子膜构成隔圈的情况下,由于高分子膜自身的介电常数,所以产生寄生电容,成为不必要的电容,从而导致麦克风的灵敏度下降。

实用新型内容

本实用新型是为了解决上述问题而提出的,本实用新型的目的在于,提供一种隔圈和膜片形成为一体而削减组装工序的隔圈一体型膜片。

本实用新型的另一目的在于,提供一种隔圈一体型膜片,其构成为在膜片上涂刷PSR(Photo Solder Resist,光致阻焊剂)来构成隔圈,从而不产生寄生电容。

为了达到上述目的,本实用新型的隔圈一体型膜片,其特征在于,由平板形的导电膜构成的膜片与由形成有多个孔且突出的PSR(PhotoSolder Resist)构成的绝缘隔圈一体地形成在上述膜片的周边部,以便消除寄生电容。

上述膜片为角部倒圆的矩形板状,上述隔圈形成在上述矩形板的4边附近。

另外,为了达到上述目的,本实用新型的隔圈一体型膜片,其特征在于,由平板形的导电膜构成的膜片与由形成有多个孔的高分子膜构成的绝缘隔圈一体地形成在上述膜片的周边部,以便消除寄生电容。

对于本实用新型的隔圈一体型膜片,由于隔圈采用PSR(Photo SolderResist)材质形成,并且形成有多个孔,从而能够消除不必要的寄生电容,提高音质,并且,膜片和隔圈形成为一体,所以在组装电容麦克风时,减少工序,减少部件数量,削减制造费用。

附图说明

图1是能够应用本实用新型的典型电容麦克风的侧剖面图。

图2是表示基于本实用新型的一实施例的隔圈一体型膜片的立体图。

图3是图2所示的隔圈一体型膜片的俯视图。

图4是表示基于本实用新型的一实施例的隔圈一体型膜片的制造步骤的流程图。

图5是表示基于本实用新型的另一实施例的隔圈一体型膜片的立体图。

符号说明

20隔圈一体型膜片;22膜片;24隔圈;24a孔

具体实施方式

本实用新型和通过实施本实用新型来解决的技术课题,将通过下面说明的本实用新型的优选实施例会更加明确。下面的实施例仅仅是为了说明本实用新型而例示的,并不限定本实用新型的范围。

图2是表示基于本实用新型的一实施例的隔圈一体型膜片20的立体图,图3是图2所示的隔圈一体型膜片20的俯视图。

如图2和图3所示,基于本实用新型的一实施例的隔圈一体型膜片20由膜片22和隔圈24构成,该膜片22为角部倒圆的矩形平板状,该隔圈24通过PSR(Photo Solder Resist)印刷工序突出形成于膜片22的4边附近。

参照图2和图3,膜片22是借助从外部通过声孔引入到电容麦克风的声压进行振动的导电振动膜,隔圈22为矩形状,突出形成于膜片22的4边上,起到保持与背板之间间隔的作用。尤其,基于本实用新型的隔圈24采用印刷在膜片22上的PSR(Photo Solder Resist)材质构成,形成有多个孔24a,以便消除寄生电容。

并且,制造这种本实用新型的一实施例的隔圈一体型膜片20的步骤如图4所示。

图4是表示基于本实用新型的一实施例的隔圈一体型膜片的制造步骤的流程图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宝星电子株式会社,未经宝星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200920149596.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top