[实用新型]一种窄线宽波长锁定的半导体激光器有效

专利信息
申请号: 200920137815.9 申请日: 2009-04-20
公开(公告)号: CN201398012Y 公开(公告)日: 2010-02-03
发明(设计)人: 马英俊;薛有为;柏天国;吴砺 申请(专利权)人: 福州高意通讯有限公司
主分类号: H01S5/00 分类号: H01S5/00;H01S5/06;H01S5/065
代理公司: 厦门市诚得知识产权代理事务所 代理人: 方惠春;黄国强
地址: 350014福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 窄线宽 波长 锁定 半导体激光器
【权利要求书】:

1.一种窄线宽波长锁定的半导体激光器,其特征在于:包括依次排列的半导体激光器(101)、准直透镜组(102)、标准具组和部分反射镜(106),所述的半导体激光器的一端面与所述的部分反射镜构成反馈外腔,所述的标准具组为波长锁定的选模元件。

2.根据权利要求1所述的窄线宽波长锁定的半导体激光器,其特征在于:所述的标准具组是两个或两个以上标准具(104、105)构成,所述的标准具组通光面法线与激光传输方向存在一定的夹角,所述的夹角范围限定为使得反射光不能回返到所述的半导体激光器(101)的芯片中。

3.根据权利要求2所述的窄线宽波长锁定的半导体激光器,其特征在于:所述的标准具组可以插入窄带滤波片,其通带半高宽<0.2nm,FSR>所述的半导体激光器(101)的谱线宽度。

4.根据权利要求1所述的窄线宽波长锁定的半导体激光器,其特征在于:所述的准直透镜组(102)的一端为球透镜,另一端为柱面镜。

5.根据权利要求1所述的窄线宽波长锁定的半导体激光器,其特征在于:所述的部分反射镜(106)的反射率在10%-40%。

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