[实用新型]基于磁电复合材料的磁场传感器无效
| 申请号： | 200920105220.5 | 申请日： | 2009-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN201344973Y | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 郑洋;谢丹;任天令;刘理天 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01R33/06 | 分类号： | G01R33/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 磁电 复合材料 磁场 传感器 | ||
【权利要求书】：
1、一种基于磁电复合材料的磁场传感器，其特征在于，该传感器主要包括磁电复合材料块，前端放大器，低通滤波器和后端数字显示电路；该磁电复合材料块与前端放大器的输入正负极相连接，该放大器的输出端与低通滤波器的输入端相连接；该低通滤波器的输出端与后端数字显示电路的输入端相连。
2、如权利要求1所述的传感器，其特征在于，该传感器还包括一对偏置电阻，该偏置电阻一端连接在所述磁电复合材料块与前端放大器之间，另一端接地。
3、如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述磁电复合材料块是矩形、方形、圆形、环形或多边形之任一种的层叠状的磁电复合材料块。
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