[实用新型]4×1阵列钕玻璃片的洁净保护装置无效
| 申请号: | 200920080873.2 | 申请日: | 2009-05-15 |
| 公开(公告)号: | CN201408910Y | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
| 发明(设计)人: | 周海;林东晖;陈良明;贺少勃 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号: | H01S3/17 | 分类号: | H01S3/17;B08B11/04;B08B5/00 |
| 代理公司: | 中国工程物理研究院专利中心 | 代理人: | 翟长明;韩志英 |
| 地址: | 621900四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 玻璃片 洁净 保护装置 | ||
技术领域
本实用新型属于高功率固体激光设备领域,具体涉及一种4×1阵列钕玻璃片的洁净保护装置,尤其是通过钕玻璃片表面形成的风幕,隔离钕玻璃片与污染粒子的接触。
背景技术
用于高功率固体激光装置主放大的钕玻璃片,对洁净度有较高要求:在洁净精密装校、运输、运行、维护/更换等全过程均要求有100级的洁净环境。钕玻璃片放大器在氙灯放电后,其4×1阵列钕玻璃片所处的激光腔体内将产生大量气溶胶,因此在原有装置的运行过程中,在每打一发次后,需立即对4×1阵列钕玻璃片所处的激光腔体内充入洁净氮气,迅速对激光腔体内的气溶胶进行置换,避免气溶胶粒子附着于钕玻璃片上,以保证钕玻璃片的洁净度。但即使非常迅速的气体置换,其置换过程仍有一个时间过程,使得部分气溶胶粒子附着于钕玻璃片表面,污染了钕玻璃片。
发明内容
为了防止已有技术中钕玻璃片的表面污染问题,本实用新型提供一种4×1阵列钕玻璃片的洁净保护装置。
本实用新型的4×1阵列钕玻璃片的洁净保护装置设置在片箱内,在片箱的对角线立柱的垂直方向上成单列布置有四块钕玻璃片,在所述的立柱内部开有贯穿整根立柱的气体通路,在立柱的底部设置气管接口,在立柱上与钕玻璃片的前端面和后端面齐平处设置有一个气体风刀隙缝。
所述的气体风刀隙缝的缝长与钕玻璃高度相同,缝宽为0.1mm~0.5mm。
本实用新型中的四块钕玻璃片在高低方向上成单列四块布置,在钕玻璃片两侧的立柱上开有贯穿立柱的气体通道,在立柱上与钕玻璃片段前后端面齐平处开有气体通槽,当从两根立柱的底部的气管接口通入接入压力为0.6MPa~1.5MPa的洁净氮气后,洁净氮气沿立柱内气体通道上行,并从钕玻璃片前后表面的开槽处喷出,在钕玻璃表面形成一层风幕,可屏蔽其它颗粒物接触钕玻璃片。
本实用新型在钕玻璃片的表面形成一层风幕,可阻挡或屏蔽有害污染物或颗粒物接触钕玻璃片,保证钕玻璃片表面的洁净。
附图说明
图1a为本实用新型的4×1阵列钕玻璃片的洁净保护装置的结构主视图
图1b为本实用新型的4×1阵列钕玻璃片的洁净保护装置的结构侧视图
图1c为本实用新型的4×1阵列钕玻璃片的洁净保护装置的结构俯视图
图2为本实用新型的4×1阵列钕玻璃片的洁净保护装置的结构主视图中的局部放大图A
图3为本实用新型的4×1阵列钕玻璃片的洁净保护装置的结构主视图中的局部放大图B。
图中,1.主立柱I 8.主立柱II 2.钕玻璃片 3.辅助立柱I 9.辅助立柱II5.气体通路I 12.气体通路II 6.风刀隙缝I 16.风刀隙缝II 7.风幕
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
在图1a、图1b、图1c和图2、图3中,四块钕玻璃片2在片箱的对角线主立柱I1和主立柱II8的高低方向上成四块单列布置,钕玻璃片2由侧面的主立柱I1、主立柱II8以及辅助立柱I3和辅助立柱II9构成的框架进行支撑,在钕玻璃片2两侧的主立柱I1和主立柱II8上分别设置有贯穿立柱的气体通路I5和气体通路II12,在主立柱I1和主立柱II8的底部分别设置有气管接口,在主立柱I1和主立柱II8上与钕玻璃片前后表面齐平处,各设置有一个气体风刀隙缝I6和风刀隙缝II16,风刀隙缝缝长与钕玻璃高度一致,缝宽为0.3mm;当从二根主立柱I1和主立柱II8底部的气管接口分别通入压力为0.6MPa~1.5MPa的洁净氮气后,洁净氮气沿主立柱内气体通路I5和气体通路II12上行,分别从钕玻璃片2前后表面的风刀隙缝I6和风刀隙缝II16处喷出,并在钕玻璃片2的前后表面各形成一层风幕7,可屏蔽污染颗粒物接触钕玻璃片。
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