[实用新型]一种电流可控的多组电磁铁驱动装置无效
| 申请号: | 200920033623.3 | 申请日: | 2009-06-19 |
| 公开(公告)号: | CN201436669U | 公开(公告)日: | 2010-04-07 |
| 发明(设计)人: | 易萍虎;洪维华;梁建国 | 申请(专利权)人: | 陕西银星科技有限公司;西安标准工业股份有限公司 |
| 主分类号: | H01F7/18 | 分类号: | H01F7/18 |
| 代理公司: | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人: | 黄秦芳 |
| 地址: | 710068 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电流 可控 电磁铁 驱动 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及应用于电脑控制缝制设备的电磁铁执行机构的驱动电路技术领域,具体涉及一种电流可控的多组电磁铁驱动装置。
背景技术
目前每台缝制设备都配有多组负载电磁铁Ln(n=1、2、3…、n-1、n),用来满足不同的功能需要。传统的驱动装置一般不对电磁铁进行电流控制,即使有,也仅是对其中一组电磁铁(额定电流最大的电磁铁)采用电流斩波方式以降低工作功耗,其结构是在其中一组电磁铁绕组的续流回路中增加一个开关管T1,当T1保持导通时,为电磁铁绕组在斩波控制时提供低阻抗续流回路;其它的负载电磁铁只能一直工作在大电流下。在实际应用中发现,所有电磁铁在动作初期需要额定电流工作,而占绝大比例的工作时间内,电磁铁处于保持工作状态,仅需一半或更小的电流即可,因此同时对多组电磁铁绕组实现电流可控才能做到更好的节能特性。电磁铁绕组每次在断电时,存储在电磁铁绕组的能量需要有转移或耗散的回路。传统的有两种做法:第一种是由二极管Dn和阻性耗能元件ZNRn组成,这种方法耗能快,电磁铁动作时间常数小;第二种是直接由二极管Dn构成低阻抗续流回路,这种方法耗能慢,电磁铁动作时间常数大。传统的两种处理方式都是将电磁铁绕组电感中存储的能量转化成热能,缝制设备中的电磁铁机构是在运行中动作非常频繁的部件,因此会造成电磁铁发热和较大的能量损失。
发明内容
本实用新型的目的是要提供一种电流可控的多组电磁铁驱动装置,以克服现有技术存在的造成了大量功耗浪费的问题。
本实用新型的目的是通过以下技术方案予以实现的:一种电流可控的多组电磁铁驱动装置,包括多个电磁铁绕组、与电磁铁绕组一一对应连接的译码驱动的低边功率开关,其特殊之处在于:还包括一个共用的高边功率开关和多个双续流回路,高边功率开关上接有一个续流二极管D0,所述低边功率开关上均接有一个续流二极管Dn,续流二极管D0和续流二极管Dn分别串接在对应电磁铁绕组的两端构成多个双续流回路;续流二极管D0另一端接电源正极,续流二极管Dn另一端接电源负极。
上述高边功率开关为P沟道MOSFET,所述低边功率开关为N沟道MOSFET。
本实用新型利用一个共用的高边功率开关和多个低边功率开关对所有电磁铁负载实现了电流可控控制,通过设计的多组负载驱动回路,对每一个负载都实现电流斩波控制,这将使所有的电磁铁负载都可在需要的时候降低控制电流,大大降低电磁铁的温升,极大地降低了工作功耗;电流可控的驱动电路再配合双续流二极管回路,可实现多种关断模式,改善了电磁铁关断特性,这可以大大改善电磁铁动作噪音;同时该续流回路去掉了传统装置的电阻性元件,可直接将负载绕组存储的能量返回给供电电容,采用能量回收模式,将大大提高电磁铁驱动装置的效率。其成本与传统方案相比并不增加。
附图说明
图1为传统电磁铁驱动电路的驱动装置结构图。
图2为又一传统电磁铁驱动电路的驱动装置结构图。
图3为本实用新型的高效电流可控的多组电磁铁驱动装置结构图。
图4为快衰减模式续流回路示意图。
图5为慢衰减模式续流回路示意图。
附图标记说明如下:
100-高边功率开关,101-电磁铁绕组,102-低边功率开关,103-双续流回路.
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型进行详细地说明。
参见图1,一种传统电磁铁驱动电路的驱动装置,其结构是对所有电磁铁绕组都只采用单个开关管控制,所有负载电磁铁只能一直工作在大电流下。
参见图2,另一种传统电磁铁驱动电路的驱动装置,其结构是在其中一组电磁铁绕组的续流回路中增加一个开关管T1,当T1保持导通时,为电磁铁绕组在斩波控制时提供低阻抗续流回路。其它的负载电磁铁只能一直工作在大电流下。
参见图3,本实用新型所涉及的一种电流可控的多组电磁铁驱动装置,包括:
(1)多个电磁铁绕组101,其中包括线圈L1~线圈Ln;
(2)多个与电磁铁绕组101一一对应连接、由译码驱动的低边功率开关102,低边功率开关102为N沟道MOSFET,其中低边功率开关102中分别包括一个译码驱动电路(可以是3-8译码器)、电阻R1~电阻Rn和相应负载个数的功率开关管Q1~功率开关管Qn,功率开关管Q1~功率开关管Qn为N沟道MOSFET;
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