[发明专利]镀膜装置

说明书

技术领域

本发明涉及镀膜技术，特别涉及一种镀膜装置。

背景技术

目前，镀膜装置一般包括一个镀膜腔体、一个抽气系统及一个靶材。镀膜腔体包括一个竖直方向的中轴。靶材一般沿中轴方向放置在镀膜腔体的中央，而多个待镀膜的基板沿中轴方向放置，环布在靶材的周围(镀膜腔体的边缘部分)。抽气系统一般通过一个导管连通到镀膜腔体沿中轴方向的中部。镀膜开始时，抽气系统将镀膜腔体抽成真空，然后再往镀膜腔体中通入反应气体以进行镀膜。在镀膜过程中，抽气系统用于持续抽走镀膜腔体中的反应气体以将镀膜腔体维持在一定的气压，进而保持镀膜的均匀性。然而，抽气过程中，镀膜腔体内靠近导管的部位(中部)抽气速率比远离导管部位(镀膜腔体高度方向的上部及下部)的抽气速率高，造成了镀膜腔体中部的气体浓度比上下部的气体浓度小，进而造成了膜层的不均匀。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种提高镀膜均匀性的镀膜装置。

一种镀膜装置，其用于对多个基板进行镀膜，该镀膜装置包括一个镀膜腔体及一个抽气系统。该镀膜腔体具有一个竖直方向的中轴。该抽气系统连通至该镀膜腔体顶部的中央，并位于该中轴上。该多个基板沿平行该中轴的方向放置，且环布在该中轴的周围。

如此，所述多个基板所处位置的抽气速率大致相同，处于一个气体浓度相对均匀的环境中，镀膜的均匀性好。

附图说明

图1为本发明较佳实施方式的镀膜装置的截面示意图。

图2为图1的镀膜装置沿线II-II的截面示意图。

主要元件符号说明

具体实施方式

请参考图1及图2，本发明较佳实施方式的镀膜装置10包括一个镀膜腔体102及一个抽气系统200。镀膜腔体102具有一个竖直方向的中轴111。该抽气系统200连通至镀膜腔体102顶部的中央，并位于中轴111上。

镀膜腔体102包括一个顶面101、一个底面107及一个连接顶面101与底面107的侧面105。侧面105平行于中轴111。顶面101的中央开设有一个开口103，且开口103以中轴111为对称轴，即，开口103开设在镀膜腔体102顶部的中央。侧面105沿中轴111方向从顶面101向下依次、均匀开设有一个第一气孔104、一个第二气孔106及一个第三气孔108。第一气孔104连接至一个第一供气装置110，第二气孔106连接至一个第二供气装置112，第三气孔108连接至一个第三供气装置114。镀膜腔体102还包括有一个进气孔(图未示)，用于向镀膜腔体102中引入惰性气体。

抽气系统200包括一个抽气机202及一个导管204，导管204连接至开口103，从而将抽气系统200连通至镀膜腔体102顶部的中央。

可以理解，可以开设更多数量的第一气孔104、第二气孔106及第三气孔108，其位置也不限于本实施方式的均匀开设。

镀膜开始时，在镀膜腔体102中沿中轴111方向的中央部位放置一个圆筒状靶材116(如与开口103对齐)，如钛(Ti)；在镀膜腔体102中沿中轴111方向放置有多个待镀膜的基板20，多个待镀膜的基板20且环布在靶材116的周围(同时也是环布在中轴111的周围)，从而使基板20设置在环绕该中央部位的周围部位。将一个电源(图未示)的阴极连接靶材116，地端连接一个位于镀膜腔体102内靠近侧面105的阳极板(图未示)，以在阳极板和靶材116之间形成一个电场。向镀膜腔体102引入惰性气体(如氩气)，同时，第一供气装置110、第二供气装置112和第三供气装置114分别通过第一气孔104、第二气孔106和第三气孔108向镀膜腔体102中持续通入反应气体，如氮气(N₂)。由于电场的作用，氩气电离成氩离子和电子，氩离子加速轰击靶材116表面，使靶材116溅射出大量靶材粒子，靶材粒子与反应性气体发生反应，生成用于沉积在基板20表面的化合物(图未示)，如氮化钛(TiN)，并沉积在基板20表面。在这个过程中，为了将镀膜腔体102维持在一定的气压，抽气系统200持续抽走镀膜腔体102中的气体。在抽气过程中，由于基板20环布在中轴111的周围，其到镀膜腔体102的顶部中央的水平距离基本相同，因此基板20所在的位置的抽气速率基本相同，所以，化合物的浓度也基本相同，进而使得基板20所镀膜层均匀。