[发明专利]掺氮细化薄膜中有序化面心四方结构铁铂颗粒尺寸的方法无效

专利信息
申请号: 200910312058.9 申请日: 2009-12-23
公开(公告)号: CN101717922A 公开(公告)日: 2010-06-02
发明(设计)人: 米文搏;金晶;白海力 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/58;C23C14/54
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 王丽
地址: 300192*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 细化 薄膜 有序 化面心 四方 结构 颗粒 尺寸 方法
【权利要求书】:

1.一种掺氮细化薄膜中有序化面心四方结构铁铂颗粒尺寸的方法,其特征是步骤如下:

1)采用中科院沈阳科学仪器研制中心生产的DPS-II型超高真空对向靶磁控溅射镀膜机,在对向的靶头上安装一对纯度为99.99%的石墨靶,一头作为磁力线的N极,另一头为S极;靶材的厚度为5mm,直径为100mm;在C靶的表面均匀放置纯金属Fe(99.99%)和Pt(99.99%)各8片,每个金属片的面积为0.8cm2,使得样品中Fe和Pt的原子比为52∶48;薄膜中C原子百分比为47%;两个靶之间的距离为100mm,靶的轴线与样品架之间的距离为100mm;

2)将基底材料表面杂质清除后,安装在对向靶连线的中垂线上;

3)开启DPS-II对向靶磁控溅射设备,先后启动一级机械泵和二级分子泵抽真空,直至溅射室的背底真空度为2×10-4Pa;

4)向真空室通入纯度为99.999%的Ar(32sccm)和N2(8sccm)的混合气体,将真空度保持在0.5Pa;

5)开启溅射电源,在一对C靶上施加0.2A的电流和1000V左右的直流电压,预溅射10分钟,等溅射电流和电压稳定;

6)打开基片架上的档板开始溅射,基片位置固定;溅射过程中,基底不加热;

7)溅射结束后,关闭基片架上的档板,然后关闭溅射电源,停止通入溅射气体Ar和N2,完全打开闸板阀,继续抽真空,然后关闭真空系统;待系统冷却后,向真空室充入纯度为99.999%的氮气,打开真空室,取出样品;

8)将样品放入退火炉中进行退火,先后启动一级机械泵和二级分子泵抽退火炉的真空室,直至退火炉真空室的背底真空度为8×10-6Pa;以每分钟10℃的升温速度,升温至650℃,在650℃温度下保持1小时,此后已每分钟5℃的降温速率进行降温,降至室温取出样品。

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