[发明专利]掺氮细化薄膜中有序化面心四方结构铁铂颗粒尺寸的方法无效
| 申请号: | 200910312058.9 | 申请日: | 2009-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN101717922A | 公开(公告)日: | 2010-06-02 |
| 发明(设计)人: | 米文搏;金晶;白海力 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
| 主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/54 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 王丽 |
| 地址: | 300192*** | 国省代码: | 天津;12 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 细化 薄膜 有序 化面心 四方 结构 颗粒 尺寸 方法 | ||
1.一种掺氮细化薄膜中有序化面心四方结构铁铂颗粒尺寸的方法,其特征是步骤如下:
1)采用中科院沈阳科学仪器研制中心生产的DPS-II型超高真空对向靶磁控溅射镀膜机,在对向的靶头上安装一对纯度为99.99%的石墨靶,一头作为磁力线的N极,另一头为S极;靶材的厚度为5mm,直径为100mm;在C靶的表面均匀放置纯金属Fe(99.99%)和Pt(99.99%)各8片,每个金属片的面积为0.8cm2,使得样品中Fe和Pt的原子比为52∶48;薄膜中C原子百分比为47%;两个靶之间的距离为100mm,靶的轴线与样品架之间的距离为100mm;
2)将基底材料表面杂质清除后,安装在对向靶连线的中垂线上;
3)开启DPS-II对向靶磁控溅射设备,先后启动一级机械泵和二级分子泵抽真空,直至溅射室的背底真空度为2×10-4Pa;
4)向真空室通入纯度为99.999%的Ar(32sccm)和N2(8sccm)的混合气体,将真空度保持在0.5Pa;
5)开启溅射电源,在一对C靶上施加0.2A的电流和1000V左右的直流电压,预溅射10分钟,等溅射电流和电压稳定;
6)打开基片架上的档板开始溅射,基片位置固定;溅射过程中,基底不加热;
7)溅射结束后,关闭基片架上的档板,然后关闭溅射电源,停止通入溅射气体Ar和N2,完全打开闸板阀,继续抽真空,然后关闭真空系统;待系统冷却后,向真空室充入纯度为99.999%的氮气,打开真空室,取出样品;
8)将样品放入退火炉中进行退火,先后启动一级机械泵和二级分子泵抽退火炉的真空室,直至退火炉真空室的背底真空度为8×10-6Pa;以每分钟10℃的升温速度,升温至650℃,在650℃温度下保持1小时,此后已每分钟5℃的降温速率进行降温,降至室温取出样品。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910312058.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类





