[发明专利]放电电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种放电电路，尤其涉及一种消耗功率较小且放电时间可调节的自动高压放电电路。

背景技术

驱动电路主要用来将输入的直流电压，作电压位准的调节，并使其稳定在所设定的一电压值，其利用驱动上桥及下桥功率元件的切换而产生脉波，此脉波经过电感电容组成的低通滤波器后产生稳定的直流电压，以供给各种电子产品，具体请参阅Volkan Kursun等人2004年在IEEE系统中发表的“HIGH INPUT VOLTAGE STEP-DOWN DC-DC CONVERTERS FORINTEGRATION IN A LOW VOLTAGE CMOS PROCESS”一文。

在驱动电路中，一般需要增加一个功率因素校正电路(Power Factor Corrector，PFC)，用以改变输入电流的波形与相角，修正电流中的高次谐波。具体地，该功率因素校正电路包括一个滤波电容，以通过该滤波电容有效地修正电流中的高次谐波。该滤波电容的大小取决于负载的大小，负载越大，该滤波电容也就越大。

当电源接通时，负载正常工作，该滤波电容可有效地修正电流中的高次谐波，同时，该滤波电容将储存电能。然而，当电源断开时，负载停止工作，储存在该滤波电容中的电能并不能通过负载释放，而需通过自然放电将储存在该滤波电容中的电能释放，其放电时间较长，容易出现高压触电。为避免高压触电危险，一般利用电阻将储存在该滤波电容内的高压释放掉。且为了避免消耗过多功率，而选用大电阻对该滤波电容进行放电。但是，选用大电阻放电，其放电时间较长，以致储存在该滤波电容中的电压储存时间较长，仍可能导致高压触电危险。

有鉴于此，有必要提供一种消耗功率较小且放电时间可以调节的放电电路。

发明内容

下面将以实施例说明一种消耗功率较小且放电时间可以调节的自动高压放电电路。

一种放电电路，其与一个功率因素校正电路的输出端电连接，且该功率因素校正电路的输出端定义为第一节点，该功率因素校正电路中具有一个滤波电容。该放电电路包括一个第一二极管，一个光耦合器，一个第二二极管，一个第一电容，一个放电单元，以及一个NPN型三极管。该第一二极管的正极与一个外接电压电连接。该光耦合器具有一个初级面与一个次级面，该初级面的输入端与该第一二极管的负极电连接，该次级面的输入端外接一输入电压。该第二二极管的正极与该初级面的输出端电连接。该第一电容的正极与该第二二极管的负极电连接，该第一电容的负极接地。该放电单元包括一个MOSFET以及一个放电电阻。该MOSFET的栅极与该第一电容的正极电连接，该MOSFET的源极接地，该MOSFET的漏极通过该放电电阻与第一节点电连接。该NPN型三极管的基极与该次级面的输出端电连接，该NPN型三极管的发射极接地，该NPN型三极管的集电极与该第一电容的正极电连接。

相对于现有技术，当电路接通时，该功率因素校正电路正常工作，该滤波电容用于滤除电源电路中的高次谐波，并储存电能。该光耦合器与该NPN型三极管导通，该第一电容储存电能。由于该MOSFET截止，因此，该放电电路消耗的功率较小。当电路断开时，该光耦合器与该NPN型三极管截止，储存在第一电容中的电能释放，以使该MOSFET导通，从而使储存在该滤波电容中的电能通过该放电单元自动进行放电，以避免高压触电危险。并且可以通过调节该放电电阻的阻值大小调节放电时间，实现快速放电目的。

附图说明

图1是本发明实施例提供的放电电路的电路示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明实施方式作进一步的详细说明。

请参见图1，本发明实施例提供的一种放电电路10，其并联于功率因素校正电路20与负载之间。具体地，该功率因素校正电路20的输入端Vin与电源输出端电连接，该功率因素校正电路20的输出端定义为第一节点A。该功率因素校正电路20中具有一个滤波电容21，其用于滤除电源电流中的高次谐波。

该放电电路10包括一个第一二极管11，一个光耦合器12，一个第二二极管13，一个第一电容14，一个NPN型三极管15以及一个放电单元16。

该第一二极管11的正极与外接电压VDD电连接。在本实施例中，该外接电压VDD为功率因素校正电路20输出的一个15伏左右的辅助电压，当功率因素校正电路20断开时，该外接电压VDD断开，即为0伏。