[发明专利]薄膜太阳能电池吸收层用关键材料的制备方法有效
| 申请号: | 200910306797.7 | 申请日: | 2009-09-09 |
| 公开(公告)号: | CN101667610A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
| 发明(设计)人: | 黄小珂;谢元锋;伍祥武;吕宏;陈进中;王玉民;苏家红;何焕全;廖春图 | 申请(专利权)人: | 柳州百韧特先进材料有限公司;北京有色金属研究总院 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 柳州市荣久专利商标事务所(普通合伙) | 代理人: | 韦 微 |
| 地址: | 545006广西壮族自治区*** | 国省代码: | 广西;45 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 吸收 关键 材料 制备 方法 | ||
1.一种薄膜太阳能电池吸收层用关键材料的制备方法,所述的关键材料是CuM(1-2x)R2(1+x),其中M为或是选自Al、In中的一种元素,或是选自Al、In、Ga中的两种元素,R选自S或Se中的一种元素,x的取值为-0.2~0.1,其特征在于:上述材料的制备包括以下步骤:
A.将所需元素材料按材料成分要求配比后放入容器中,在低于10-2Pa真空度条件下封闭容器或者在充入低于大气压力的氩气、氮气或氦气的条件下封闭容器;
B.将密闭的容器温度调整到高于材料熔点的条件下保温0.1小时~10小时,使其在8小时内缓慢冷却到室温,将制备的块体从容器内取出后球磨,将粉末筛分,得到粉末产品;所述的高于材料熔点的条件是指温度1000℃~1200℃;
C.将制备出的粉末放入热压炉模具中在600℃~920℃、30MPa~300MPa压制后按需要的尺寸加工即得到所需的块体靶材。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池吸收层用关键材料的制备方法,其特征在于:步骤A中所述的所需元素材料Cu、M和R的摩尔比为:Cu∶M∶R=1∶1(1-2x)∶2(1+x), x的取值为-0.2~0.1。
3.根据权利要求2所述的薄膜太阳能电池吸收层用关键材料的制备方法,其特征在于:所述的M为选自Al、In、Ga中的两种元素,x的取值为-0.05~0.05。
4.根据权利要求1、2或3所述的薄膜太阳能电池吸收层用关键材料的制备方法,其特征在于:当所需要的产品为粉末时,取消步骤C。
5.根据权利要求1、2或3所述的薄膜太阳能电池吸收层用关键材料的制备方法,其特征在于:步骤A中所述的容器是内衬氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷或搪瓷的高压釜、高压罐、反应釜或反应罐。
6.根据权利要求1、2或3所述的薄膜太阳能电池吸收层用关键材料的制备方法,其特征在于:步骤C中所述的热压炉是热等静压炉或热压烧结炉。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于柳州百韧特先进材料有限公司;北京有色金属研究总院,未经柳州百韧特先进材料有限公司;北京有色金属研究总院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910306797.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:钛铜棒悬挂式钛阴极板
- 下一篇:一种用于刀式喷嘴的水平控制装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





