[发明专利]一种中空阴极溅射离子镀装置无效
| 申请号： | 200910272734.4 | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101876062A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 杨兵;丁辉 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 武汉天力专利事务所 42208 | 代理人： | 程祥;冯卫平 |
| 地址： | 430072*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 中空 阴极 溅射 离子镀 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种中空阴极溅射离子镀装置，包括真空室，真空室设有抽真空口，真空室内设有阴极电弧靶和工件架，其特征在于：所述真空室为空心圆柱形且与地绝缘，真空室内壁装上靶材，与溅射电源负极连接，形成中空阴极溅射靶；真空室中心设有柱状电弧靶，工件架位于圆柱形中空阴极电弧靶和柱状电弧靶所围成的区域。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：中空阴极溅射靶为整体结构或者拼装靶。
3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于：真空室外设有可绕真空室转动的磁铁架，磁铁架上固定有磁铁，相邻磁铁的磁场极性相反，磁场穿过真空室壁到达中空阴极溅射靶的表面，磁场在靶面上构成闭合场。
4.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于：中空阴极溅射靶靶材为Cr、Ti或Zr，靶材厚度为5-20mm，中空阴极溅射靶直径为300～1200mm，高度为300～1500，靶个数为一个。
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