[发明专利]垂直结构发光二极管芯片结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200910272579.6 | 申请日： | 2009-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101847675A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 周武;郑如定;刘榕;张建宝 | 申请（专利权）人： | 武汉华灿光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 武汉帅丞知识产权代理有限公司 42220 | 代理人： | 朱必武 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.垂直结构发光二极管芯片制造方法，其特征在于：包括下列工艺步骤：
a.在P-GaN层上蒸镀金属，获得P电极欧姆接触层以及反光层；
b.在上述金属表面邦定金属支撑层；
c.将晶圆背面蓝宝石衬底机械研磨；
d.在蓝宝石上激光划槽，根据所做芯片大小，调整划槽间距，根据蓝宝石的厚度控制划槽深度和宽度；
e.用硫酸+磷酸溶液，腐蚀切割道，控制时间，腐蚀到N-GaN层；
f.在晶圆背面蓝宝石上制作N电极，使一部分N电极直接与N-GaN层接触，这部分电极覆盖划槽底部，另一部分电极包括N电极压焊点N-PAD与蓝宝石衬底附着；
g.切割成所需大小的芯片。
2.根据权利要求1所述的垂直结构发光二极管芯片制造方法，其特征在于：邦定金属支撑层的厚度在30-80μm。
3.根据权利要求1所述的垂直结构发光二极管芯片制造方法，其特征在于：机械研磨蓝宝石衬底，使剩余蓝宝石层厚度为25-50μm。
4.根据权利要求1所述的垂直结构发光二极管芯片制造方法，其特征在于：激光划槽，根据蓝宝石的厚度控制划槽深为27-50μm，宽度为30-60μm。
5.根据权利要求1所述的垂直结构发光二极管芯片制造方法，其特征在于：使用磷酸+硫酸高温在150-300℃下腐蚀划槽。
6.根据权利要求1所述的垂直结构发光二极管芯片制造方法，其特征在于：金属支撑层邦定方式包括电镀或共晶。
7.垂直结构发光二极管芯片结构，包括P-GaN层、量子阱层、N-GaN层、缓冲层、蓝宝石衬底，它们依次连接，其特征在于：还包括P电极欧姆接触层、反光层、金属支撑层、N电极和划槽；P-GaN层上有P电极欧姆接触层和反光层，欧姆接触层表面邦定厚度为30-80μm金属支撑层，在25-50μm蓝宝石衬底的表面划出纵横交错的划槽，这些划槽的深度在27-50μm，宽度30-60μm，划槽底部为N-GaN层；在晶圆背面蓝宝石上制作N电极，部分N电极金属与划槽底部的N-GaN层接触，大部分N电极与蓝宝石衬底直接接触。
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