[发明专利]漂移阶跃恢复二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种漂移阶跃恢复二极管，其基底为N型衬底(1)，在N型衬底(1)内部通过掺杂形成有掺磷的N⁺区(1-1)、掺铝的P区(1-3)、掺硼的P⁺区(1-4)；其中N⁺区(1-1)与P⁺区(1-4)位于N型衬底(1)的两侧，P⁺区(1-4)与P区(1-3)相邻接，P区(1-3)与N⁺区(1-1)通过N区(1-2)隔离开，其特征在于P⁺区(1-4)与P区(1-3)总的结深为100μm～130μm。

2.根据权利要求1所述的漂移阶跃恢复二极管，其特征在于N⁺区(1-1)的结深为50μm～120μm，N区(1-2)的厚度为20μm～30μm。

3.根据权利要求1所述的漂移阶跃恢复二极管，其特征在于P⁺区(1-4)的硼离子的表面浓度和N⁺区(1-1)的磷离子的表面浓度为10¹⁹～10²⁰个/cm³。

4.根据权利要求1所述的漂移阶跃恢复二极管，其特征在于P区(1-3)的铝离子扩散的表面浓度为7×10¹⁵～8×10¹⁵个/cm³。

5.根据权利要求1所述的漂移阶跃恢复二极管，其特征在于P⁺区(1-4)的结深为15μm～20μm。

6.根据权利要求1所述的漂移阶跃恢复二极管，其特征在于N型衬底(1)的电阻率的范围为20Ω·cm～30Ω·cm，厚度为在250μm～300μm范围内。

7.根据权利要求1所述的漂移阶跃恢复二极管，其特征在于在N型衬底(1)的P⁺区(1-4)和N⁺区(1-1)两侧镀有镍层(1-5)。

8.一种漂移阶跃恢复二极管，其特征在于该漂移阶跃恢复二极管是由权利要求1所述漂移阶跃恢复二极管串联组成的漂移阶跃恢复二极管堆。

9.一种权利要求1所述的漂移阶跃恢复二极管的制备方法，包括以下步骤：

1)在准备好的N型衬底(1)上双面扩散磷；2)氧化形成保护层；3)单面研磨去除扩散的磷层并进行铝扩散；4)在进行铝扩散的一面进行硼扩散；5)N型衬底(1)双面镀镍，其特征在于：上述铝扩散时采用的炉温为1250℃～1260℃，时间为50～52小时。

10.根据权利要求9所述的漂移阶跃恢复二极管的制备方法，其特征在于所述扩散磷在空气气氛下进行，炉温控制在1180℃～1190℃，时间为2～2.5小时；所述硼扩散在空气气氛下进行，在1200℃～1210℃下保温2～3小时，在800℃～810℃下恒温20～30小时。