[发明专利]增益出光的发光装置和其方法无效

专利信息
申请号: 200910259282.6 申请日: 2009-12-15
公开(公告)号: CN102097556A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 潘昌吉;张简庆华;陈彰和 申请(专利权)人: 华新丽华股份有限公司
主分类号: H01L33/10 分类号: H01L33/10
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 中国台湾桃园县杨*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 增益 发光 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种提升发光装置出光的方法,其特征在于包括以下步骤:

在发光装置上提供布设层;

在布设层上设置保护层;

形成一数组的孔隙穿透保护层和布设层;以及

在布设层上生成氧化层,具有复数个柱体,各自形成于其中一孔隙;

其中柱体的形状可借由调整气氛的N2/H2浓度比、反应温度和时间来控制,如此可改变柱体的形状和光脱逃角(light escape angle)。

2.如权利要求1的方法,其特征在于氧化层包括氧化锌(ZnO)、二氧化硅(SiO2)、二氧化钛(TiO2)或氧化铝(Al2O3)。

3.如权利要求1的方法,其特征在于氧化层借由水热处理、溶胶凝胶法、电镀、热蒸镀法、化学气相沉积法(CVD)、或分子束磊晶法(MBE)所形成。

4.如权利要求1的方法,其特征在于布设层包括氧化铟锡(ITO)、镍/金(Ni/Au)、氧化镍/金(NiO/Au)、P型氧化锌(p-ZnO)、或氧化锌(ZnO)。

5.如权利要求1的方法,其特征在于保护层包括光阻材料或介电材料。

6.如权利要求1的方法,其特征在于气氛温度高于200℃。

7.如权利要求1的方法,其特征在于气氛包括氮、氢、或其混合。

8.如权利要求1的方法,其特征在于柱体具有纳米结构或微米结构。

9.如权利要求1的方法,其特征在于柱体为六角锥状或截头六角锥状。

10.如权利要求1的方法,其特征在于柱体下表面的直径介于100nm(纳米)与数μm(微米)之间。

11.如权利要求1的方法,其特征在于孔隙是由湿蚀刻制程、干蚀刻制程、光蚀刻法和曝光显影制程、雷射切割制程、或电子束写入制程所形成。

12.一种具有增益出光的发光装置,其特征在于其包括:

发光基板;

提供于发光基板上的布设层;

形成于布设层的一数组的孔隙;

保护层,设置于具有露出孔隙的布设层上;以及

形成于布设层上的氧化层,具有复数个柱体,各自形成于其中一孔隙;

其中柱体的形状可由调整气氛N2/H2浓度比、反应温度和时间来控制,如此可改变柱体的形状和光脱逃角(light escape angle)。

13.如权利要求12的发光装置,其特征在于氧化层包括氧化锌(ZnO)、二氧化硅(SiO2)、二氧化钛(TiO2)或氧化铝(Al2O3)。

14.如权利要求12的发光装置,其特征在于氧化层由水热处理、溶胶凝胶法、电镀、热蒸镀法、化学气相沉积法(CVD)、或分子束磊晶法(MBE)所形成。

15.如权利要求12的发光装置,其特征在于布设层包括氧化铟锡(ITO)、镍/金(Ni/Au)、氧化镍/金(NiO/Au)、P型氧化锌(p-ZnO)、或氧化锌(ZnO)。

16.如权利要求12的发光装置,其特征在于保护层包括光阻材料或介电材料。

17.如权利要求12的发光装置,其特征在于气氛的温度高于200℃。

18.如权利要求12的发光装置,其特征在于气氛包括氮、氢、或其混合。

19.如权利要求12的发光装置,其特征在于柱体具有纳米结构或微米结构。

20.如权利要求12的发光装置,其特征在于柱体为六角锥状或截头的六角锥状。

21.如权利要求12的发光装置,其特征在于柱体下表面的直径介于100nm(纳米)与数μm(微米)之间。

22.如权利要求12的发光装置,其特征在于孔隙由湿蚀刻制程、干蚀刻制程、光蚀刻法和曝光显影制程、雷射切割制程、或电子束写入制程所形成。

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