[发明专利]增益出光的发光装置和其方法无效
| 申请号: | 200910259282.6 | 申请日: | 2009-12-15 |
| 公开(公告)号: | CN102097556A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
| 发明(设计)人: | 潘昌吉;张简庆华;陈彰和 | 申请(专利权)人: | 华新丽华股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10 |
| 代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
| 地址: | 中国台湾桃园县杨*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 增益 发光 装置 方法 | ||
1.一种提升发光装置出光的方法,其特征在于包括以下步骤:
在发光装置上提供布设层;
在布设层上设置保护层;
形成一数组的孔隙穿透保护层和布设层;以及
在布设层上生成氧化层,具有复数个柱体,各自形成于其中一孔隙;
其中柱体的形状可借由调整气氛的N2/H2浓度比、反应温度和时间来控制,如此可改变柱体的形状和光脱逃角(light escape angle)。
2.如权利要求1的方法,其特征在于氧化层包括氧化锌(ZnO)、二氧化硅(SiO2)、二氧化钛(TiO2)或氧化铝(Al2O3)。
3.如权利要求1的方法,其特征在于氧化层借由水热处理、溶胶凝胶法、电镀、热蒸镀法、化学气相沉积法(CVD)、或分子束磊晶法(MBE)所形成。
4.如权利要求1的方法,其特征在于布设层包括氧化铟锡(ITO)、镍/金(Ni/Au)、氧化镍/金(NiO/Au)、P型氧化锌(p-ZnO)、或氧化锌(ZnO)。
5.如权利要求1的方法,其特征在于保护层包括光阻材料或介电材料。
6.如权利要求1的方法,其特征在于气氛温度高于200℃。
7.如权利要求1的方法,其特征在于气氛包括氮、氢、或其混合。
8.如权利要求1的方法,其特征在于柱体具有纳米结构或微米结构。
9.如权利要求1的方法,其特征在于柱体为六角锥状或截头六角锥状。
10.如权利要求1的方法,其特征在于柱体下表面的直径介于100nm(纳米)与数μm(微米)之间。
11.如权利要求1的方法,其特征在于孔隙是由湿蚀刻制程、干蚀刻制程、光蚀刻法和曝光显影制程、雷射切割制程、或电子束写入制程所形成。
12.一种具有增益出光的发光装置,其特征在于其包括:
发光基板;
提供于发光基板上的布设层;
形成于布设层的一数组的孔隙;
保护层,设置于具有露出孔隙的布设层上;以及
形成于布设层上的氧化层,具有复数个柱体,各自形成于其中一孔隙;
其中柱体的形状可由调整气氛N2/H2浓度比、反应温度和时间来控制,如此可改变柱体的形状和光脱逃角(light escape angle)。
13.如权利要求12的发光装置,其特征在于氧化层包括氧化锌(ZnO)、二氧化硅(SiO2)、二氧化钛(TiO2)或氧化铝(Al2O3)。
14.如权利要求12的发光装置,其特征在于氧化层由水热处理、溶胶凝胶法、电镀、热蒸镀法、化学气相沉积法(CVD)、或分子束磊晶法(MBE)所形成。
15.如权利要求12的发光装置,其特征在于布设层包括氧化铟锡(ITO)、镍/金(Ni/Au)、氧化镍/金(NiO/Au)、P型氧化锌(p-ZnO)、或氧化锌(ZnO)。
16.如权利要求12的发光装置,其特征在于保护层包括光阻材料或介电材料。
17.如权利要求12的发光装置,其特征在于气氛的温度高于200℃。
18.如权利要求12的发光装置,其特征在于气氛包括氮、氢、或其混合。
19.如权利要求12的发光装置,其特征在于柱体具有纳米结构或微米结构。
20.如权利要求12的发光装置,其特征在于柱体为六角锥状或截头的六角锥状。
21.如权利要求12的发光装置,其特征在于柱体下表面的直径介于100nm(纳米)与数μm(微米)之间。
22.如权利要求12的发光装置,其特征在于孔隙由湿蚀刻制程、干蚀刻制程、光蚀刻法和曝光显影制程、雷射切割制程、或电子束写入制程所形成。
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