[发明专利]扩大记忆胞操作区间的方法及应用其的非挥发记忆体阵列有效
| 申请号: | 200910258807.4 | 申请日: | 2009-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN101833993A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
| 发明(设计)人: | 陈柏舟;杨怡箴;林慧芝;张耀文 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 扩大 记忆 操作 区间 方法 应用 挥发 记忆体 阵列 | ||
1.一种扩大电荷捕捉记忆胞的程序化区间的方法,其特征在于包含:
提供具有多个电荷捕捉记忆胞的一阵列,该阵列包含多个电荷捕捉记忆胞横列;
指定该阵列中的一横列;
指定该指定横列中的一第一电荷捕捉记忆胞,该第一电荷捕捉记忆胞具有一第一资料区域与一第二资料区域;
依据该第一电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域与该第二资料区域,接受一第一程序化指令;
当该第一程序化指令下令程序化该第一电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域时,程序化该第一电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域;以及
当该第一程序化指令下令程序化该第一电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域以及当该第一程序化指令没有下令程序化该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域时,擦除该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于其中该程序化该第一资料区域的步骤包含将具有一第一极性的一电荷注入该第一资料区域。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于其中该注入具有该第一极性的该电荷包含注入多个沟道热电子。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于其中该第二资料区域的该擦除包含注入具有一第二极性的一电荷进入该第二资料区域。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于其中该注入具有该第二极性该电荷包含注入多个能带至能带热电洞。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于其中该擦除在该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域是在该程序化该第一电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域之前进行。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于其中该擦除在该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域是在该程序化该第一电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域之后进行。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于还包含:
依据位于该阵列的该指定横列的一第二电荷捕捉记忆胞,接受一第二程序化指令,该第二电荷捕捉记忆胞具有第一资料区域与第二资料区域,其中该第二电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域与该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域分享一位线;
当该第一程序化指令下令程序化该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域时,程序化位于该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域;以及
当该第一程序化指令下令程序化在该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域时及当该第二程序化指令没有下令程序化该第二电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域时,擦除该第二电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于其中该第二电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域的擦除是在该程序化该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域之前进行。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于其中该第二电荷捕捉记忆胞的该第一资料区域的擦除是在该程序化该第一电荷捕捉记忆胞的该第二资料区域之后进行。
11.根据权利要求8所述的方法,其特征在于其中在该第一程序化记忆胞未程序化时,该程序化改变该第一电荷捕捉记忆胞的至少一资料区域的一临界电压至一数值,其与该至少一资料区域的该临界电压区隔。
12.根据权利要求8所述的方法,其特征在于其中在该第一程序化记忆胞未程序化时,该程序化改变该第一电荷捕捉记忆胞的至少一资料区域的一临界电压至多个阶级之一,其与该至少一资料区域的该临界电压区隔。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于其中该多个阶级包含至少二个阶级。
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