[发明专利]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，包含：

第一基底层；

第二基底层，位于该第一基底层之上；以及

发射层，位于该第二基底层之上；

其中该第一基底层的导电带高于该第二基底层的导电带，以及该第一基底层的能隙小于该第二基底层的能隙。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中该第二基底层的材料包含GaAs或InGaAs。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，还包含一背面电场层，位于该第一基底层之下，其中该背面电场层的能隙大于该第一基底层的能隙。

4.如权利要求1所述的太阳能电池，其中该第一基底层的共价带高于该第二基底层的共价带。

5.如权利要求1所述的太阳能电池，其中该第一基底层的材料包含GaAs_(1-x)Sbx、GaAs_(1-y)N_y或GaAs_(1-z)In_z，其中x、y与z为实数，且0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1。

6.如权利要求5所述的太阳能电池，其中0.1＜x＜0.25。

7.如权利要求5所述的太阳能电池，其中0.01＜y＜0.09。

8.如权利要求5所述的太阳能电池，其中0.1＜z＜0.3。

9.如权利要求1所述的太阳能电池，其中该第一基底层的掺杂浓度高于该第二基底层的掺杂浓度。

10.如权利要求1所述的太阳能电池，其中该第一基底层的掺杂浓度约为大于2×10¹⁷cm^-3。